ASB75系列具有基板冷却功能，因此能够在密封金属外壳中使用被动冷壁冷却将热量传递到设备外部。还可选择预装或单独提供散热片，以允许设计者在首选的情况下使用传统对流或强制空气冷却。

高达90%的效率水平可最大限度地减少不必要的热量产生，并在一个仅为2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工业标准半砖封装内实现20W/in3的出色功率密度。

ASB75系列的空载电流损耗功率小于150mW，大大减少了终端设备的备用电源需求，使其能够满足具有挑战性的现代效率标准。

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150V耐压GaN HEMT*1（以下称“GaN器件”）的,高达8V的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2技术。

在服务器系统等领域，由于IoT设备的需求日益增长，功率转换效率的提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题之一，而这就要求功率元器件的进一步发展与进步。

ROHM一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产，以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）