新型XeonTM处理器，工作频率2.8GHz 和2.6GHz，用于双向工作站和服务器平台。

这种新产品比原计划提前一个季度问世，有两个512K字节的高速缓冲存储器，采用Intel的0.13微米工艺制造。

Intel Xeon处理器平台在性能和价值上继续处于业界的领先地位，我们在世界范围内看到Intel平台的伟大力量。

我们以比OEM和分销商所期望的还要快的速度在设计和制造企业所要求的产品。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 34 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 48 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3M

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 38 S

下降时间: 3.2 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.2 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 26 ns

典型接通延迟时间: 6.7 ns

零件号别名: SP000311518 BSZ5N3MSGXT BSZ050N03MSGATMA1

单位重量: 38.320 mg

Intel计划在2002年第四季度推出支持AGP 8x 的两个芯片组，用于双处理器和单处理器工作站。

两个N-MOSFET和两个萧特基二极管封在一个SO-14封装的器件IRF7335D1，在今天的双MOSFET-萧特基共封装中，电流处理能力最大。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）