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通信系统和数据通信系统300Whe1300W的离线开关电源(SMPS)

发布时间:2021/4/13 8:01:30 访问次数:1196

新的600V K系列HEXFET产品功率MOSFET,和以前的器件相比,其导通电阻降低45%,能处理TO-247封装的电流多75%。

600V的器件给同样的设计更多的安全富余度,而500V器件则在更低的成本上有机会增加效率。

该新型MOSFET设计用在通信系统和数据通信系统中300Whe1300W以上的离线开关电源(SMPS)。此外,IR还准备提供500V K系列MOSFET,有同样的应用。

两种电压范围和众多的电流选择以及导通电阻的数值使设计者能满足大多数设计对成本和性能的要求。

制造商:Xilinx 产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列 产品:Spartan-3 系列:XC3S50 逻辑元件数量:1728 LE 输入/输出端数量:63 I/O 工作电源电压:1.2 V 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFP-100 商标:Xilinx 栅极数量:50000 分布式RAM:12 kbit 内嵌式块RAM - EBR:72 kbit 最大工作频率:280 MHz 湿度敏感性:Yes 产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工厂包装数量:90 子类别:Programmable Logic ICs 商标名:Spartan 单位重量:49 g

UCC28810/11可控制反激,降压或升压转换器.

它还集成了用来处理反馈误差的跨导电压放大器,用来产生正比于输入电压的电流基准发生器,电流检测(PWM)比较器,PWM逻辑以及用来驱动外接FET的图腾柱驱动器.

新型MOSFET的低导通电阻增加了效率,降低能源损耗和热阻,能承受175度的反复雪崩击穿。

TO-20和D-Pak器件有Q101质量标准,完全符合汽车应用中所标明的雪崩击穿能量(单脉冲,EAS和重复,EAR)额定值。D2Pak和TO-262封装是工业级标准的。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

新的600V K系列HEXFET产品功率MOSFET,和以前的器件相比,其导通电阻降低45%,能处理TO-247封装的电流多75%。

600V的器件给同样的设计更多的安全富余度,而500V器件则在更低的成本上有机会增加效率。

该新型MOSFET设计用在通信系统和数据通信系统中300Whe1300W以上的离线开关电源(SMPS)。此外,IR还准备提供500V K系列MOSFET,有同样的应用。

两种电压范围和众多的电流选择以及导通电阻的数值使设计者能满足大多数设计对成本和性能的要求。

制造商:Xilinx 产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列 产品:Spartan-3 系列:XC3S50 逻辑元件数量:1728 LE 输入/输出端数量:63 I/O 工作电源电压:1.2 V 最小工作温度:0 C 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFP-100 商标:Xilinx 栅极数量:50000 分布式RAM:12 kbit 内嵌式块RAM - EBR:72 kbit 最大工作频率:280 MHz 湿度敏感性:Yes 产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array 工厂包装数量:90 子类别:Programmable Logic ICs 商标名:Spartan 单位重量:49 g

UCC28810/11可控制反激,降压或升压转换器.

它还集成了用来处理反馈误差的跨导电压放大器,用来产生正比于输入电压的电流基准发生器,电流检测(PWM)比较器,PWM逻辑以及用来驱动外接FET的图腾柱驱动器.

新型MOSFET的低导通电阻增加了效率,降低能源损耗和热阻,能承受175度的反复雪崩击穿。

TO-20和D-Pak器件有Q101质量标准,完全符合汽车应用中所标明的雪崩击穿能量(单脉冲,EAS和重复,EAR)额定值。D2Pak和TO-262封装是工业级标准的。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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