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荷兰新型温度传感器IC 温差仅±0.1℃

发布时间:2007/9/1 0:00:00 访问次数:415

      荷兰代尔夫特大学(Delft University of Technology)将发表一种新型温度传感器IC,在-55℃~125℃的测定温度范围内误差非常小。整个测定数据的99.7%都集中在误差为±0.1℃的范围内。该大学称,通过减小测定误差,“还可用于军用领域”。目前市场上销售的民用产品用温度传感器的误差大多高于±1℃,而且测定误差也会因测定温度的不同而变化。该大学称“精度提高了5倍”。

  为了提高精度,采取了很多手段。比如,采用了以数控方式对元件之间的匹配特性自动进行自律校正的DEM(Digital Element Matching),与电流增益相互独立的PTAT(Proportional To Absolute Temperature,与绝对温度成比例)偏压电路,集成了CDS(相关双重取样)电路的低偏移ΔΣ A-D转换器等元件。利用70nm工艺、双层金属单层多晶硅结构(2M1P)CMOS技术生产。芯片尺寸为4.5mm2。耗电量为75 μA。

      荷兰代尔夫特大学(Delft University of Technology)将发表一种新型温度传感器IC,在-55℃~125℃的测定温度范围内误差非常小。整个测定数据的99.7%都集中在误差为±0.1℃的范围内。该大学称,通过减小测定误差,“还可用于军用领域”。目前市场上销售的民用产品用温度传感器的误差大多高于±1℃,而且测定误差也会因测定温度的不同而变化。该大学称“精度提高了5倍”。

  为了提高精度,采取了很多手段。比如,采用了以数控方式对元件之间的匹配特性自动进行自律校正的DEM(Digital Element Matching),与电流增益相互独立的PTAT(Proportional To Absolute Temperature,与绝对温度成比例)偏压电路,集成了CDS(相关双重取样)电路的低偏移ΔΣ A-D转换器等元件。利用70nm工艺、双层金属单层多晶硅结构(2M1P)CMOS技术生产。芯片尺寸为4.5mm2。耗电量为75 μA。

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