在现代电源应用中，如电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和可再生能源、企业计算及电信等其他应用，高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。

这些新的SiC MOSFET比同等硅开关技术显著提高性能,使工程师能够满足挑战性的设计目标。 

增强的性能降低损耗，从而提高能效，减少热管理需求，并降低电磁干扰(EMI)。使用这些新的SiC MOSFET的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。

新器件均为表面贴装，并提供行业标准封装类型，包括TO247和D2PAK。

产品种类:    MOSFET    

RoHS:    详细信息  

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    TSDSON-8    

晶体管极性:    N-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    40 V    

Id-连续漏极电流:    40 A    

Rds On-漏源导通电阻:    8.1 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1.2 V    

Qg-栅极电荷:    24 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    35 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    OptiMOS    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

封装:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.1 mm  

长度:   3.3 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶体管类型:   1 N-Channel  

宽度:   3.3 mm  

商标:   Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值:   24 S  

下降时间:   2.8 ns  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   2.4 ns  

工厂包装数量:   5000  

子类别:   MOSFETs  

典型关闭延迟时间:   16 ns  

典型接通延迟时间:   3.5 ns  

零件号别名:  BSZ097N04LS G SP000388296  

单位重量:  151 mg

在双绞线的另一端，第二个 LT3960 为任何从属 I2C 设备在本地重新创建 I2C 总线.内置的 3.3 V LDO 通过 4 V 至 60 V 的单输入电源为 I2C 和 I2CAN 总线供电,也可直接由 3.3 V 至 5 V 电源供电.高达400kbps I2C通信速率,扩展的共模电压为±36V.

带热关断的限流驱动器,具有低电流关断模式.LT3960 采用 10 引脚 MSOP 封装.主要应用在工业网络,汽车网络和远程传感器.

更高的浪涌,雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性,从而提供更高的可靠性和更长器件使用寿命。

(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）