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集成式快速自动化控制系统无缝开关50A IGBT的关断性能

发布时间:2021/4/2 20:32:31 访问次数:506

集成式快速开关50 A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案,可与MOSFET媲美。

较之常规的碳化硅MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现95%至97%的系统效率。

此外,CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言,该器件是实现硬换向的理想器件,损耗可降低30%。

由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。


RA6M5产品群的关键特性

运行模式下,仅107μA/MHz超低功耗(以200MHz在闪存运行CoreMark算法时);唤醒时间30μs

支持TrustZone技术的200MHz主频Arm Cortex-M33内核

包含瑞萨安全加密引擎的完整安全解决方案

100引脚至176引脚的LQFP封装,也可提供176BGA封装

片上集成1MB、1.5MB或2MB闪存;512KB SRAM(包括64KB ECC RAM)

电容式触摸感应单元

变频器的自适应控制功能能够帮助隔离可能有害的负载的波动,并对负载变化进行自动补偿,从而保持系统正常运行.

借助于负载检测技术,对于负载波动的情况,通过变频器自身传感器观察,并做出自适应调节,从而使负载稳定地运行。

PowerFlex 6000T中压变频器可与罗克韦尔自动化控制系统无缝集成,支持统一友好的软件环境Studio5000。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

集成式快速开关50 A IGBT的关断性能优于纯硅解决方案,可与MOSFET媲美。

较之常规的碳化硅MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现95%至97%的系统效率。

此外,CoolSiC肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言,该器件是实现硬换向的理想器件,损耗可降低30%。

由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。


RA6M5产品群的关键特性

运行模式下,仅107μA/MHz超低功耗(以200MHz在闪存运行CoreMark算法时);唤醒时间30μs

支持TrustZone技术的200MHz主频Arm Cortex-M33内核

包含瑞萨安全加密引擎的完整安全解决方案

100引脚至176引脚的LQFP封装,也可提供176BGA封装

片上集成1MB、1.5MB或2MB闪存;512KB SRAM(包括64KB ECC RAM)

电容式触摸感应单元

变频器的自适应控制功能能够帮助隔离可能有害的负载的波动,并对负载变化进行自动补偿,从而保持系统正常运行.

借助于负载检测技术,对于负载波动的情况,通过变频器自身传感器观察,并做出自适应调节,从而使负载稳定地运行。

PowerFlex 6000T中压变频器可与罗克韦尔自动化控制系统无缝集成,支持统一友好的软件环境Studio5000。


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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