X-FAB内置了一个触发二极管，可以在无需外部光源即可实现精确、实时的片上击穿电压检测。

这将使我们的客户在众多应用中获得直接的收益，如医疗领域中的计算机层析成像和荧光检测，以及工业和汽车系统中的ToF与激光雷达等。

这些先进的光电元件是X-FAB设计套件的宝贵补充,拓宽了在XH018工艺中利用的互操作资产选择范围。

LivingPackets的全新智能运输包裹THE BOX。它采用一种极其耐用、互联且可持续的包装运输方式，重新定义了智能包装的概念。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TSDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 21 A

Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 8.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 57 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 3.3 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 3.3 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 11 S

下降时间: 3 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 10 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

零件号别名: BSZ520N15NS3 G SP000607022

单位重量: 200 mg

这些开发板同时支持Arduino Uno插针和ST morpho插针，可以借助各种专用扩展板来轻松扩展STM32WL Nucleo开放开发平台的功能。

STM32WL Nucleo-64开发板还集成了STLINK-V3E调试器和编程器，不需要单独的探针。

板载STM32WL55JC MCU搭载两个32位Arm® Cortex®-M4/M0+核心以及256 KB闪存和64 KB SRAM。

该器件的特殊设计无线电提供两个功率输出（一个最高15 dBm，另一个最高22 dBm），并且支持LoRa、(G)FSK、(G)MSK和BPSK调制。

(素材来源：eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）