与传统的DSP解决方案相比，该系列具有更小的时延，更低的功耗和更小的尺寸，以及更高的集成度（包括集成的MCU），从而进一步简化和加快光模块系统设计。

该系列CDR已通过-40至85℃温度范围认证，使其也将成为5G前传和中传基础设施中光互连通信的理想选择。

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:3.16 A Rds On-漏源导通电阻:47 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:3 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:0.75 W 通道模式:Enhancement 商标名:TrenchFET 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 长度:2.9 mm 系列:SI2 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:1.6 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:7 S 下降时间:6 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:12 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:14 ns 典型接通延迟时间:7 ns 零件号别名:SI2306BDS-E3 单位重量:8 mg

高集成度消除了射频复杂性，避免多次原型制作，元器件数量减少则有助于提高产量，缩短认证周期时间。第2代产品完善了去年发布的初代系列产品，提高了频率和功率级。

两代产品具有相同的引脚输出格式，让射频设计人员能够快速从一种设计升级到另一种设计，从而缩短整体开发时间。

第2代Airfast MCM包括10款新器件，覆盖从2.3至4.0 GHz的5G频段，平均输出功率为37至39 dBm。这些器件现已经过认证，恩智浦的全新射频功率参考电路数字资料库射频电路集将会支持它们。

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