9伏栅极电压增加负载电流或降低有效导通电阻(RDSon)
发布时间:2021/2/11 15:31:48 访问次数:1523
氮化镓器件已经革新了其他行业的功率转换元件，现在以耐辐射的塑料封装推出，这种封装经过严格的可靠性和电气测试以确保关键任务的成功。
新型GaN HEMT的发布为客户提供了关键航空航天和国防电力应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。
对于所有产品线，Teledyne e2v HiRel都会针对最高可靠性应用执行最严苛的认证和测试。对于功率器件，这些测试包括硫酸测试、高空模拟、动态老化、环境温度高达175°C的阶跃应力、9伏栅极电压以及全温度测试。
制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:190 mA Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V Qg-栅极电荷:0.33 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd
与碳化硅(SiC)器件不同，这次发布的两款器件可以轻松地并行实施，以增加负载电流或降低有效导通电阻(RDSon)。
（mm）使用寿命温度范围接口附加特性TCE-11101±50 ppm
±读数的3%5 x 5 x 1
28-管脚 LGA5年0-60 CI2C DK-11101±50 ppm
±读数的3%5 x 5 x 1
28-管脚 LGA5年0-60 CI2C, USB校准与维修.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
氮化镓器件已经革新了其他行业的功率转换元件，现在以耐辐射的塑料封装推出，这种封装经过严格的可靠性和电气测试以确保关键任务的成功。
新型GaN HEMT的发布为客户提供了关键航空航天和国防电力应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。
对于所有产品线，Teledyne e2v HiRel都会针对最高可靠性应用执行最严苛的认证和测试。对于功率器件，这些测试包括硫酸测试、高空模拟、动态老化、环境温度高达175°C的阶跃应力、9伏栅极电压以及全温度测试。
制造商:Nexperia 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:190 mA Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V Qg-栅极电荷:0.33 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd
与碳化硅(SiC)器件不同，这次发布的两款器件可以轻松地并行实施，以增加负载电流或降低有效导通电阻(RDSon)。
（mm）使用寿命温度范围接口附加特性TCE-11101±50 ppm
±读数的3%5 x 5 x 1
28-管脚 LGA5年0-60 CI2C DK-11101±50 ppm
±读数的3%5 x 5 x 1
28-管脚 LGA5年0-60 CI2C, USB校准与维修.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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