4MSPS的12位逐次逼近(SAR)的模数转换器(ADC)ADS7881
发布时间:2021/2/2 12:54:04 访问次数:870
它具有12位的分辨率,功耗仅有95mW.器件很适合用在需要高速和低功耗的高级应用中如光网络,手提医疗系统,高速数据采集,频谱分析仪,图像和通信.
ADS7881给用户提供一种空前的解决方案,它在取样速率4MHz下有12位的不丢失码,线性度1LSB,失调电压1.5mV,谐波失真-91dB,信噪比(SNR)71.5dB,功耗仅为95mW.
这是输入信号频率高达1.8MHz的高速数据采集的唯一的一种器件.
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:900 V Id-连续漏极电流:36 A Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V Qg-栅极电荷:270 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 长度:16.13 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.21 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:25 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:20 ns 240 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:400 ns 典型接通延迟时间:70 ns 零件号别名:IPW9R12C3XK SP000413750 IPW90R120C3FKSA1 单位重量:38 g
基于SAR的结构,与高速流水线和Delta-Sigma结构不同,其优点是没有等待的转换,因此很适合用作复接或伺服控制.
这些器件的直流性能,特别是失调和失调漂移,比目前可用的高速ADC要优越得多.
由于ADS7881集成了基准电压源和基准源缓冲器,给设计者提供了完整的解决方案.和其它许多高速ADC一样,器件有假差分,单极输入范围(0-2.5V).
它能提供有附加字节模式的12位接口,很容易和8位处理器接口.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
它具有12位的分辨率,功耗仅有95mW.器件很适合用在需要高速和低功耗的高级应用中如光网络,手提医疗系统,高速数据采集,频谱分析仪,图像和通信.
ADS7881给用户提供一种空前的解决方案,它在取样速率4MHz下有12位的不丢失码,线性度1LSB,失调电压1.5mV,谐波失真-91dB,信噪比(SNR)71.5dB,功耗仅为95mW.
这是输入信号频率高达1.8MHz的高速数据采集的唯一的一种器件.
制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:900 V Id-连续漏极电流:36 A Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V Qg-栅极电荷:270 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:417 W 通道模式:Enhancement 商标名: 封装:Tube 配置:Single 高度:21.1 mm 长度:16.13 mm 系列: 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.21 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:25 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:20 ns 240 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:400 ns 典型接通延迟时间:70 ns 零件号别名:IPW9R12C3XK SP000413750 IPW90R120C3FKSA1 单位重量:38 g
基于SAR的结构,与高速流水线和Delta-Sigma结构不同,其优点是没有等待的转换,因此很适合用作复接或伺服控制.
这些器件的直流性能,特别是失调和失调漂移,比目前可用的高速ADC要优越得多.
由于ADS7881集成了基准电压源和基准源缓冲器,给设计者提供了完整的解决方案.和其它许多高速ADC一样,器件有假差分,单极输入范围(0-2.5V).
它能提供有附加字节模式的12位接口,很容易和8位处理器接口.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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