LMG3422R050集成的硅驱动器开关速度高达150V/ns
发布时间:2021/1/29 21:28:01 访问次数:692
器件集成的精密栅极偏压可以得到比分立硅栅极驱动器更高的安全操作區域(SOA).
器件嵌入高速存储器(闪存多达256KB,SRAM多达64KB)和广泛的增强I/O和外设.器件还嵌入用于嵌入闪存和SRAM的几种保护机理:读出保护,写保护和专用代码读出保护.
600V 50mΩ GaN-on-Si FET,集成了驱动器和保护功能,使设计者在电源系统中获得新的功率密度和效率. LMG3422R050集成的硅驱动器开关速度高达150V/ns.
器件的开关频率为2MHz.主要用在高密度工业电源,太阳能逆变器和工业马达驱动以及不间断电源(UPS).
制造商:Winbond 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 存储容量:16 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流（最大值）:25 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:133 MHz 组织:2 M x 8 数据总线宽度:8 bit 定时类型:Synchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Winbond 电源电流—最大值:25 mA 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 工厂包装数量2000 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:436.760 mg
这些器件还嵌入两个DMA控制器(每个7路),在存储器(闪存,SRAM1和SRAM2)和外设间进行任何的传输组合.器件标准和高档通信接口包括两个USART,一个低功耗UART(LPUART),三个I2C(SMBus/PMBus),两个SPI(高达16MHz,一个支持I2S),用于处理器固件处理同步的信号量.
无线电频率范围从150MHz到960MHz,2-FSK在1.2 Kbit/s的RX灵敏度为-123dBm,LoRa®在10.4 kHz的灵敏度为-148dBm,发送器高输出功率可编程到高达+22dBm,发送器低输出功率可编程到高达+15dBm,1.8V-3.6V工作电压,工作温度–40 C 到 +105 C.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
器件集成的精密栅极偏压可以得到比分立硅栅极驱动器更高的安全操作區域(SOA).
器件嵌入高速存储器(闪存多达256KB,SRAM多达64KB)和广泛的增强I/O和外设.器件还嵌入用于嵌入闪存和SRAM的几种保护机理:读出保护,写保护和专用代码读出保护.
600V 50mΩ GaN-on-Si FET,集成了驱动器和保护功能,使设计者在电源系统中获得新的功率密度和效率. LMG3422R050集成的硅驱动器开关速度高达150V/ns.
器件的开关频率为2MHz.主要用在高密度工业电源,太阳能逆变器和工业马达驱动以及不间断电源(UPS).
制造商:Winbond 产品种类:NOR闪存 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 存储容量:16 Mbit 电源电压-最小:2.7 V 电源电压-最大:3.6 V 有源读取电流（最大值）:25 mA 接口类型:SPI 最大时钟频率:133 MHz 组织:2 M x 8 数据总线宽度:8 bit 定时类型:Synchronous 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Winbond 电源电流—最大值:25 mA 湿度敏感性:Yes 产品类型:NOR Flash 工厂包装数量2000 子类别:Memory & Data Storage 单位重量:436.760 mg
这些器件还嵌入两个DMA控制器(每个7路),在存储器(闪存,SRAM1和SRAM2)和外设间进行任何的传输组合.器件标准和高档通信接口包括两个USART,一个低功耗UART(LPUART),三个I2C(SMBus/PMBus),两个SPI(高达16MHz,一个支持I2S),用于处理器固件处理同步的信号量.
无线电频率范围从150MHz到960MHz,2-FSK在1.2 Kbit/s的RX灵敏度为-123dBm,LoRa®在10.4 kHz的灵敏度为-148dBm,发送器高输出功率可编程到高达+22dBm,发送器低输出功率可编程到高达+15dBm,1.8V-3.6V工作电压,工作温度–40 C 到 +105 C.
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