增强型V2TM控制方式具有快速瞬态响应(100纳秒)和更低的抖动，从而将所需输出电容器数量降到最低。输出电压是通过高精度的5位数模转换器(DAC)进行设定，该数模转换器可在0.8V至1.55V范围内编程。NCP5331完全支持快速电压(VID)偏移的要求，允许处理器改变控制器输出电压，且不会产生不合规范的干扰。

可编程过流关断定时器限制了陡变(hiccup)时间，可防止对MOSFET开关的潜在损害。

为配合NCP5331在AMD Athlon处理器上的应用，功率MOSFET，即用于高边的60Amp/28V NTD60N03开关和用于低边的80Amp/24V NTD80N02开关。

高性能单端或差分放大器,10dB电压增益,应用频率从DC到10.0GHz.放大器提供低参考输入(RTI)噪音频谱密度(NSD)2.24 nV/√Hz (1000 MHz),在宽频率范围有最佳的失真性能,使得器件非常适合驱动高速12位到16位模数转换器(ADC).

ADL5580适合用在高性能零中频(IF)和复杂IF接收器设计.

器件还具有低失真,以用于单端输入驱动器应用.器件的-3dB带宽为10.0GHz,预设10dB增益,可用外接电阻来降低.

辐射容错 DC-DC 转换器电源模块，该模块采用 Vicor 最新电镀 SM-ChiP™ 封装。ChiP 可从 100V 的标称电源为高达 300 瓦的低电压 ASIC 供电，其经过波音公司测试，不仅能够抵抗50 krad 电离总剂量，而且还具备抗单粒子干扰(single-event upsets)的功能。

凭借冗余架构实现对单粒子干扰(single-event upsets)免疫，将两个具有容错控制 IC 的相同功率模块并联，封装于高密度 SM-ChiP模块中实现抗干扰功能。

先进的通信卫星要求具备高功率密度和低噪声特性。

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