Type-I格式紧凑Flash卡交互符号干扰ISI影响
发布时间:2021/1/2 17:40:00 访问次数:214
一款1GB 紧凑Flash卡。这是目前可供货的最高密度的Type-I格式紧凑Flash卡。器件型号为THNCF1G02MA，可以提供大容量的包括音乐、数字照片和视频图像在内的大型文件。
作为NAND闪存的发明者和闪存卡技术的先锋，东芝将其低功耗、高性能NAND闪存技术同紧凑Flash Type-I 形状系数结合起来，提供了能进行可靠稳定工作的高密度薄型器件。
更高容量闪存卡的需求取决于能存储数字视频的更高清晰度数码相机，MP3播放机和其它数字消费类产品如PDA的日益流行。
制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 技术:Si 封装 / 箱体:TO-247-3 安装风格:Through Hole 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.6 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:80 A Pd-功率耗散:319.2 W 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 175 C 系列:Trenchstop IGBT3 封装:Tube 商标:Infineon Technologies 栅极—射极漏泄电流:100 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:240 子类别:IGBTs 商标名:TRENCHSTOP 零件号别名:IKW50N60DTP SP001379678 单位重量:6.065 g
THNCF1G02MA 1GB 紧凑Flash卡由4个2Gb存储器和一个控制器组成。THNCF1G02MA具有1.5 MB/s的持续写速度和6.5MB/s的持续读速度。
可以消除狭长的PCB布线带来的交互符号干扰(ISI)影响。器件还支持系统级的信号完整性，包括高输入灵敏度、阻抗匹配I/O和每通道可调整输出驱动电平。器件还集成了一些性能来支持板级可制造性，例如板上PRBS发生器/探测器，集成的温度传感器/报警器，支持边界扫描以及有通过单个端口来加强或感应任意管脚信号的功能。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
一款1GB 紧凑Flash卡。这是目前可供货的最高密度的Type-I格式紧凑Flash卡。器件型号为THNCF1G02MA，可以提供大容量的包括音乐、数字照片和视频图像在内的大型文件。
作为NAND闪存的发明者和闪存卡技术的先锋，东芝将其低功耗、高性能NAND闪存技术同紧凑Flash Type-I 形状系数结合起来，提供了能进行可靠稳定工作的高密度薄型器件。
更高容量闪存卡的需求取决于能存储数字视频的更高清晰度数码相机，MP3播放机和其它数字消费类产品如PDA的日益流行。
制造商:Infineon 产品种类:IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 技术:Si 封装 / 箱体:TO-247-3 安装风格:Through Hole 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.6 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:80 A Pd-功率耗散:319.2 W 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 175 C 系列:Trenchstop IGBT3 封装:Tube 商标:Infineon Technologies 栅极—射极漏泄电流:100 nA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:240 子类别:IGBTs 商标名:TRENCHSTOP 零件号别名:IKW50N60DTP SP001379678 单位重量:6.065 g
THNCF1G02MA 1GB 紧凑Flash卡由4个2Gb存储器和一个控制器组成。THNCF1G02MA具有1.5 MB/s的持续写速度和6.5MB/s的持续读速度。
可以消除狭长的PCB布线带来的交互符号干扰(ISI)影响。器件还支持系统级的信号完整性，包括高输入灵敏度、阻抗匹配I/O和每通道可调整输出驱动电平。器件还集成了一些性能来支持板级可制造性，例如板上PRBS发生器/探测器，集成的温度传感器/报警器，支持边界扫描以及有通过单个端口来加强或感应任意管脚信号的功能。
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