两组独立编程的输出电压，从5.5V到0.5V可调，允许器件能满足将来芯片组和外设对亚1V电压的要求。为了支持DDR存储器系统，开关1用来产生2.5V电压，为存储器芯片供电(VDDQ)，开关2提供1.25V浮置外部基准源，支持DDR有源终端的要求。该器件也提供1.25V,3mA缓冲基准(VREF)输出。

集成栅极驱动器，提供两级软起动，降低过冲和震荡，避免出现EMI引起的瞬变和开关噪音。SC1486采用低边MOSFET的RDS(on)作为电流传感，以改善效率和降低成本。

Texas Instruments

制造商零件编号

TUSB551RWBR

描述

IC REDRIVER USB 3.0 1CH 12X2QFN

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 2（1 年）

详细描述 缓冲器-转接驱动器-1-Channel-5Gbps-12-X2QFN（1.6x1.6）

类型 缓冲器，转接驱动器

应用 USB 3.0

输入 -

输出 -

数据速率（最大值） 5Gbps

通道数 1

延迟时间 278ps

信号调节 输入均衡，输出去加重

电压 - 电源 1.62V ~ 1.98V

电流 - 电源 -

工作温度 -40°C ~ 85°C

安装类型 表面贴装

封装/外壳 12-XFQFN

供应商器件封装 12-X2QFN（1.6x1.6）

LT8491在6V至80V的输入电压范围内工作，使用单个电感并配合4开关同步整流可以产生1.3V至80V的电池浮充电压输出。该器件能够提供高达10A的充电电流，具体取决于外部元件的选择。LT8491可以与多个LT8705（80V降压-升压控制器）器件并联，以提供更高的功率。

LT8491可通过检测热耦合到电池的外部热敏电阻来执行自动温度补偿。通过I2C接口可以完全控制充电器以及输入/输出电压、电流和功率值。LT8491采用薄型(0.75mm) 64引脚7mm x 11mm QFN封装，工作温度范围为-40°C至125°C。

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