硅MOSFET （parasitic parameters），以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求。

这个需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生, 如碳化硅场效应管(SiC MOSFET) 。它们能够提供设计人员要求的更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求。

650V 碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求，碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅场效应管(Si MOSFET)以前从未考虑过的应用而变得更具有吸引力。

制造商

Xilinx Inc.

制造商零件编号

XC17256EPC20C

描述

IC SERIAL CFG PROM 256K 20-PLCC

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 3（168 小时）

类别 集成电路（IC）

产品族 存储器 - 用于 FPGA 的配置 PROM

系列 -

规格

可编程类型 OTP

存储容量 256Kb

电压 - 电源 4.75V ~ 5.25V

工作温度 0°C ~ 70°C

封装/外壳 20-LCC（J 形引线）

供应商器件封装 20-PLCC（9x9）

双路调整器Endura ISL6529。封装在14引脚SOIC封装，Intersil公司的ISL6529调整器适合用在图形处理单元(GPU)和SDRAM存储器中。ISL6539能减小板的面积，元件的数目，加快产品走向市场。

ISL6529含有一个给GPU供大电流的同步脉宽调制(PWM)控制器和一个给存储器供电的低电流线性调整器。两个调整器都驱动N-MOSFET。它还可用在功率专用集成电路(ASIC)和嵌入处理器以及其它DSP IC。

ISL6529双调整器IC的输出在0.8-3.3V之间完全可调，工作频率600 kHz能使用更小的元件和更有效的滤波器元件，节省了空间，降低成本，在整个温度范围内电压调整精度为2%，保证了可靠性。