行业效率标准以及市场对效率技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。碳化硅MOSFET并不是简单地替换硅MOSFET，如果这样使用碳化硅MOSFET可能会导致效率下降而不是升高。

它可以通过蓝牙技术实现无线接入和数据传输。LSE139支持高达723kbps的数据率，当采用打印机适配器LSE019后也可以用于无线打印。

LSE019打印机适配器是提供蓝牙支持的点对点打印功能的无线打印模块。它可以与支持无线打印协议和串口打印的产品共同使用。

FDA24N50数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-3PN-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 24 A

Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 270 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: UniFET

封装: Tube

高度: 20.1 mm  

长度: 16.2 mm  

系列: FDA24N50  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

下降时间: 86 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 108 ns  

工厂包装数量: 450  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 164 ns  

典型接通延迟时间: 47 ns  

单位重量: 6.401 g

碳化硅CoolSiC器件的体二极管正向电压（VF）是硅CoolMOS器件的四倍。如果不对电路进行相应调整，很有机会在谐振LLC转换器上在轻负载时效率可能下降多达0.5％。设计人员还应注意，如果要在CCM图腾PFC设计中获得最高的峰值效率，则必须通过打开碳化硅MOSFET沟道而不是只通过体二极管进行升压。

器件结壳热阻，这方面CoolMOS稍有优势，由于CoolSiC芯片尺寸较小，在相同封装情况下，CoolSiC热阻为1.0K/W（IMW65R048M1H），而CoolMOS则为0.8K/W（IPW60R070CFD7），但实证明这些热阻的差异在实际设计中可以忽略。

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