CRCW0201片状电阻存储器模块3位恒流驱动IC
发布时间:2020/12/22 20:53:34 访问次数:201
业界最高容量的注册DDR DIMM存储器模块DDR333,目标应用在需要超高容量高性能尺度大小(1.2英吋高度)计算机服务器和工作站。采用36个256M位FBGA封装的存储器器芯片,184引脚模块比用TSOP封装的同样容量的模块,板面积要小60%。
由于封装引起的寄生参数在数据引脚减小50%,其负载电感为3.0nH,电容为0.32pF,电阻为0.12欧姆。
总容量为128M字节X72,分成两组,2.5V为工作电源,1.25V为信号电压。
电源管理 QX2303 低功耗PFM DC/DC升压IC
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厚膜片状电阻,其占位面积为业界最小,适用于板的空间要求严格的地方。
CRCW0201片状电阻的尺寸是工业标准0201:0.024英吋(0.6mm)X0.012英吋(0.3mm),高度为0.009英吋(0.23mm),适用于紧凑的终端产品如存储器模块,手机,PCMCIA卡,阻听器,传感器,频率控制器件和笔记本电脑。
CRCW0201的额定功率为50mW,最高工作电压为30V,TCR标准值为±200 ppm/度。新型电阻值从10 W 到1 MW,误差为±5%。
可流动焊接的端头有镍阻挡层,CRCW0201和自动贴片兼容,因此很容易组合成紧凑的系统。
业界最高容量的注册DDR DIMM存储器模块DDR333,目标应用在需要超高容量高性能尺度大小(1.2英吋高度)计算机服务器和工作站。采用36个256M位FBGA封装的存储器器芯片,184引脚模块比用TSOP封装的同样容量的模块,板面积要小60%。
由于封装引起的寄生参数在数据引脚减小50%,其负载电感为3.0nH,电容为0.32pF,电阻为0.12欧姆。
总容量为128M字节X72,分成两组,2.5V为工作电源,1.25V为信号电压。
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厚膜片状电阻,其占位面积为业界最小,适用于板的空间要求严格的地方。
CRCW0201片状电阻的尺寸是工业标准0201:0.024英吋(0.6mm)X0.012英吋(0.3mm),高度为0.009英吋(0.23mm),适用于紧凑的终端产品如存储器模块,手机,PCMCIA卡,阻听器,传感器,频率控制器件和笔记本电脑。
CRCW0201的额定功率为50mW,最高工作电压为30V,TCR标准值为±200 ppm/度。新型电阻值从10 W 到1 MW,误差为±5%。
可流动焊接的端头有镍阻挡层,CRCW0201和自动贴片兼容,因此很容易组合成紧凑的系统。