一个简单的步进/方向接口使控制器电路易于接口。引脚允许配置电机在全步，半步，四分之一步，或八步模式。衰减模式和PWM关断时间可编程。内置过流保护、短路保护、欠压锁定、过温关闭功能。

扩展系统公司的应用软件开发工具包(SDK)为企业提供了在微软嵌入式可视图像环境下使用的一套完整的工具，用于开发支持客户应用的移动应用程序。

三个放大器使用Qorvo生产发布QGaN15工艺技术制造。

制造商

NXP USA Inc.

制造商零件编号

BF908R,235

描述

MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL） 1（无限）

详细描述 射频-Mosfet-N-通道双门-pval-2140-pval-2159-200MHz-SOT-143R

晶体管类型 N 通道双门

频率 200MHz

增益 -

电压 - 测试 8V

额定电流（安培） 40mA

噪声系数 0.6dB

电流 - 测试 15mA

功率 - 输出 -

电压 - 额定 12V

封装/外壳 SOT-143R

供应商器件封装 SOT-143R

在27-31GHz的Ka波段，该TGA2594-HM提供的饱和输出功率和25分贝线性增益4W在密封，QFN封装。该TGA2595-CP提供的饱和输出功率和21分贝线性增益的8W散热优良的铜底座螺栓固定式封装。两个设备分别具有25％和22％，邻苯二甲酸酯。

一种高性能，低功耗的组合式存储器，它把16M位双组闪存和8M位的SRAM集合在单一的节省空间的球栅阵列(BGA)封装。

8M位 组合存储器，不得不使用32M 位闪存。而使用SST34HF1681 组合存储器，低成本便携式设备的设计者在使用SRAM的时候，可以不必因为要增加闪存而提高设备的成本。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）