K9W8G08U1M:1Gx8位NAND闪存存储器（图）
发布时间:2007/9/1 0:00:00 访问次数:703
Samsung电子公司推出业界首个60nm 8Gb NAND闪存储器K9W8G08U1M,用作存储媒体如用在移动设备的低容量移动硬盘.
NAND闪存技术,平均每12个月增加容量一倍.在1999年为256Mb,2000年则增加到512Mb,2001年为1Gb,2002年为2Gb,2003年为4Gb,现在2004年则为8Gb.
开发这样高容量和精细的电路设计的关键技术是3D单元晶体管结构和高介质栅绝缘技术.此外,通过广泛使用的KrF光刻印刷术,每位的成本降低了50%.
Samsung在60nm技术中通过采用多级单元(MLC)技术,进一步增强了这种技术.新的8Gb MLC NAND闪存扩充了Samsung闪存系列产品,满足对有效率和高性价比的非易失性存储设备日益增长的市场需求.MLC技术还给设计者提拔供了低功耗小形状系数存储解决方案的有竞争力的选择,使低容量移动内硬盘能用在紧凑的移动设计中.
K9W8G08U1M是采用两个4Gb的K9K4G08U0M堆栈起来的,48引脚TSOP封装(12x12mm,间距0.5mm),有(512M+16384K)x8位或(256M+8192K)x16位两种配置,工作电压1.70-1.95V或2.7-3.6V两种,能在300us内完成2112B(X器件)或1056字(X16器件)页编程,在2ms内完成对128KB(X8器件)或64K字(X16器件)区块擦除,数据页中的数据能在50ns内读出,片内写控制器自动化所有的编程和擦除功能.
8Gb NAND闪存将使设计者能在单存储卡中达到16GB存储量.16GB存储器能存储多达16小时的DVD质量的视频或4000首(每首歌5分钟)MP3音频文件.
下图为产品外形图.详情请上网:www.samsungsemi.com
Samsung电子公司推出业界首个60nm 8Gb NAND闪存储器K9W8G08U1M,用作存储媒体如用在移动设备的低容量移动硬盘.
NAND闪存技术,平均每12个月增加容量一倍.在1999年为256Mb,2000年则增加到512Mb,2001年为1Gb,2002年为2Gb,2003年为4Gb,现在2004年则为8Gb.
开发这样高容量和精细的电路设计的关键技术是3D单元晶体管结构和高介质栅绝缘技术.此外,通过广泛使用的KrF光刻印刷术,每位的成本降低了50%.
Samsung在60nm技术中通过采用多级单元(MLC)技术,进一步增强了这种技术.新的8Gb MLC NAND闪存扩充了Samsung闪存系列产品,满足对有效率和高性价比的非易失性存储设备日益增长的市场需求.MLC技术还给设计者提拔供了低功耗小形状系数存储解决方案的有竞争力的选择,使低容量移动内硬盘能用在紧凑的移动设计中.
K9W8G08U1M是采用两个4Gb的K9K4G08U0M堆栈起来的,48引脚TSOP封装(12x12mm,间距0.5mm),有(512M+16384K)x8位或(256M+8192K)x16位两种配置,工作电压1.70-1.95V或2.7-3.6V两种,能在300us内完成2112B(X器件)或1056字(X16器件)页编程,在2ms内完成对128KB(X8器件)或64K字(X16器件)区块擦除,数据页中的数据能在50ns内读出,片内写控制器自动化所有的编程和擦除功能.
8Gb NAND闪存将使设计者能在单存储卡中达到16GB存储量.16GB存储器能存储多达16小时的DVD质量的视频或4000首(每首歌5分钟)MP3音频文件.
下图为产品外形图.详情请上网:www.samsungsemi.com
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