ADIN1200 PHY和fido5000嵌入式开关内存数据速率性能
发布时间:2020/12/19 22:13:34 访问次数:898
鉴于与线路数据相关的延迟是固定的,且与位速率相关,使用低延迟组件(例如ADIN1200 PHY和fido5000嵌入式开关)将是优化性能的关键,尤其是在节点数量增加(例如,12轴CNC机床),周期时间缩短时。
类型:顶部安装冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……)接合方法:推脚形状:方形,鳍片长度:1.575"(40.00mm)宽度:1.575"(40.00mm)离基底高度(鳍片高度):0.790"(20.00mm)不同强制气流时的热阻:12.42°C/W @ 100 LFM材料:铝材料镀层:蓝色阳极氧化处理无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
输出配置:正输出类型:固定稳压器数:1电压 - 输入(最大值):18V电压 - 输出(最小值/固定):1.8V压降(最大值):1.4V @ 1A电流 - 输出:1A电流 - 静态(Iq):10mAPSRR:60dB(180Hz)保护功能:过流,超温工作温度:0°C ~ 125°C安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63供应商器件封装:TO-252-3无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
Activate (激活)命令向SDRAM发送一个行地址,打开内存的一个行(页面)。然后是一个Deselect (反选)命令序列,在对列地址发送Read 或Write 命令前满足定时要求。一旦使用AcTIvate命令打开内存的行(页面),那么可以在内存的该行(页面)上运行多个Read和Write命令。要求Precharge(预充电)命令,关闭该行,然后才能打开另一行。
通过提高时钟速率、突发数据及每个时钟周期传送两个数据位(参见表1),DDR (双倍数据速率) SDRAM 提高了内存数据速率性能。DDR SDRAM 在一条读取命令或一条写入命令中突发多个内存位置。

鉴于与线路数据相关的延迟是固定的,且与位速率相关,使用低延迟组件(例如ADIN1200 PHY和fido5000嵌入式开关)将是优化性能的关键,尤其是在节点数量增加(例如,12轴CNC机床),周期时间缩短时。
类型:顶部安装冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……)接合方法:推脚形状:方形,鳍片长度:1.575"(40.00mm)宽度:1.575"(40.00mm)离基底高度(鳍片高度):0.790"(20.00mm)不同强制气流时的热阻:12.42°C/W @ 100 LFM材料:铝材料镀层:蓝色阳极氧化处理无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
输出配置:正输出类型:固定稳压器数:1电压 - 输入(最大值):18V电压 - 输出(最小值/固定):1.8V压降(最大值):1.4V @ 1A电流 - 输出:1A电流 - 静态(Iq):10mAPSRR:60dB(180Hz)保护功能:过流,超温工作温度:0°C ~ 125°C安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63供应商器件封装:TO-252-3无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
Activate (激活)命令向SDRAM发送一个行地址,打开内存的一个行(页面)。然后是一个Deselect (反选)命令序列,在对列地址发送Read 或Write 命令前满足定时要求。一旦使用AcTIvate命令打开内存的行(页面),那么可以在内存的该行(页面)上运行多个Read和Write命令。要求Precharge(预充电)命令,关闭该行,然后才能打开另一行。
通过提高时钟速率、突发数据及每个时钟周期传送两个数据位(参见表1),DDR (双倍数据速率) SDRAM 提高了内存数据速率性能。DDR SDRAM 在一条读取命令或一条写入命令中突发多个内存位置。
