AI 加速器驱动设计开关晶体管的控制器IC
发布时间:2020/12/13 8:23:13 访问次数:418
正电源电压生成负输出电压。许多系统都需要负电源电压,以便读取某些传感器发出的信号。可能需要为信号链提供(例如)+5 V和–5 V,或者甚至+15 V和–15 V电压。负电源电压也用于安全切换某些开关元件,例如碳化硅(SiC)。
Ćuk拓扑也称为2L反相拓扑,因为其电源路径中需要使用两个电感。
用于生成负电源电压的Ćuk拓扑原理。
在选择合适的开关稳压器IC时,需要确保其中包含负电源电压反馈引脚。ADI公司拥有大量带有集成开关的单片开关稳压器IC,以及带有外部开关晶体管的控制器IC,均适合此类应用。
5G 和 Wi-Fi 6 会增加连接带宽。5G 打算将带宽提高到 10Gbps,而 Wi-Fi 6 已经支持 2Gbps 带宽。AI 加速器声称场景分割的时间少于 20μs,Intel i7 CPU 在大约 20ms 内处理每个帧的速度相比,有了显著进步。
orCAD 或 Pads Logic 绘制原理图,PCB layout
FPGA/CPLD设计与仿真,Transceiver高速设计、仿真以及差分信号完成性整改
嵌入式硬件设计
Davinci系列系统移植以及驱动设计
PCIe板卡、Windows/Linux驱动、以及应用程序设计
板卡测试方案设计
技术攻关
一款MOS管,低开启电压 低内阻,特别适合应用于电弧打火机,其特点是打火猛、温度低、打火时间长、火花四射。
型号:HC030N10L参数:100V30A ,类型:N沟道MOS场效应管,内阻22毫欧,低结电容2000pF, 封装:贴片(TO-252)HC030N10L是一款采用SGT工艺MOS管,低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强HC030N10L可以应用于LED驱动电源,电弧打火机、驱动电机、工控电源等产品
特点:内阻低,结电容小,电源研发设计,具体抗高温、低内阻、结电容小、温升低特点,电弧打火机专用,火苗粗,打火时间长。

(素材来源:ttic和chinaaet.如涉版权请联系删除。特别感谢)
正电源电压生成负输出电压。许多系统都需要负电源电压,以便读取某些传感器发出的信号。可能需要为信号链提供(例如)+5 V和–5 V,或者甚至+15 V和–15 V电压。负电源电压也用于安全切换某些开关元件,例如碳化硅(SiC)。
Ćuk拓扑也称为2L反相拓扑,因为其电源路径中需要使用两个电感。
用于生成负电源电压的Ćuk拓扑原理。
在选择合适的开关稳压器IC时,需要确保其中包含负电源电压反馈引脚。ADI公司拥有大量带有集成开关的单片开关稳压器IC,以及带有外部开关晶体管的控制器IC,均适合此类应用。
5G 和 Wi-Fi 6 会增加连接带宽。5G 打算将带宽提高到 10Gbps,而 Wi-Fi 6 已经支持 2Gbps 带宽。AI 加速器声称场景分割的时间少于 20μs,Intel i7 CPU 在大约 20ms 内处理每个帧的速度相比,有了显著进步。
orCAD 或 Pads Logic 绘制原理图,PCB layout
FPGA/CPLD设计与仿真,Transceiver高速设计、仿真以及差分信号完成性整改
嵌入式硬件设计
Davinci系列系统移植以及驱动设计
PCIe板卡、Windows/Linux驱动、以及应用程序设计
板卡测试方案设计
技术攻关
一款MOS管,低开启电压 低内阻,特别适合应用于电弧打火机,其特点是打火猛、温度低、打火时间长、火花四射。
型号:HC030N10L参数:100V30A ,类型:N沟道MOS场效应管,内阻22毫欧,低结电容2000pF, 封装:贴片(TO-252)HC030N10L是一款采用SGT工艺MOS管,低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强HC030N10L可以应用于LED驱动电源,电弧打火机、驱动电机、工控电源等产品
特点:内阻低,结电容小,电源研发设计,具体抗高温、低内阻、结电容小、温升低特点,电弧打火机专用,火苗粗,打火时间长。

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