第四代SiC FET先进技术平台推出四款首批器件。作为目前市场上首批也是唯一的750V SiC FET，这四款第四代器件基于领先的品质因数（FoM）实现了新的性能水平，从而使汽车、工业充电、电信整流器、数据中心功率因数校正（PFC）和 DC-DC转换以及可再生能源和储能领域的电源应用都能够从中受益。

新器件将联合碳化硅的产品扩展到了750V，这样就可以为设计人员提供更多的裕量并减少其设计约束。这一VDS额定值的提高，也使这些FET有利于400/500V总线电压应用。由于与±20V、5V Vth的栅极驱动器广泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V栅极电压驱动。因此，就可以将它们与现有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器一起使用。

ADRF5515是集成式双通道3.4-3.8 GHz 20 W接收器前端,具有2 级低噪音放大器(LNA)和高功率硅单刀双掷(SPDT)开关,片内偏置和匹配,单电源供电,3.6 GHz时高增益模式的增益为33 dB,噪音为1.0dB;低增益模式的增益为16 dB,噪音为1.0dB.插入损耗在3.6 GHz 时为 0.45 dB.

OIP3为32 dBm.6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装.主要用在无线基础设备,TDD大规模MIMO(massivemultiple-input multiple-output)和有源天线系统以及基于TDD的通信系统.

传感器节点等 IoT 相关设备，由于体积非常小，可搭载的电池容量有限，因此必须以极低的耗电量运转。大部分此类设备都采用了耗电量低的无线通信规范 Bluetooth®。而且，在工厂内和室外等高温环境下使用、LED 照明等产生发热的设备，存在耐热性的问题。

于是太阳诱电让使用温度范围的上限比原有产品提高了 20℃，使可支持+105℃的无线通信模块“EYSPBNZUA”商品化。

用于安装在工厂和室外的传感器节点等 IoT 相关设备、LED 照明等的办公室、家庭自动化相关设备的无线通信模块。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）