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six-pack模块或功率集成模块驱动功率级

发布时间:2020/11/30 23:07:16 访问次数:1084

STMicroelectronics (ST) 的ACEPACK™ IGBT模块。Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模块属于专为工业应用而开发的新型塑料电源模块系列,可为3 kW – 30 kW的工业和电源管理解决方案提供高成本效益、高集成度的功率转换功能。这些稳健的模块兼具高功率密度和可靠性,实现了低导通电阻与高开关性能的完美组合。

ST ACEPACK IGBT模块有两种紧凑型配置,并采用ST的第三代沟槽式场截止IGBT。设计师可以选择six-pack模块或功率集成模块 (PIM)。six-pack模块内置六个IGBT和续流二极管,可用作三相逆变器。PIM是转换器-逆变器-制动器 (CIB) 模块,集成有三相整流器、三相逆变器和处理负载反馈能量的制动斩波器,提供完整驱动功率级。这两种模块还内置有NTC热敏电阻,用于感测和控制温度。

IGBT PIM模块产品,分别有P2、P3两款封装外形,1200V,电流10A~35A,芯片参数稳定,一致性优异,产品采用环保材料,符合RoHS标准,主要应用于电动驱动器、交直流伺服驱动放大器和不间断电源。

产品特点

最大工作结温175℃

低开关损耗

低饱和压降,正温度系数

具有超快速和软恢复特性的续流二极管

高短路电流能力(10us以上)

饱和压降低,减少工作损耗

使用DBC结构的绝缘性散热底板。


优异的导通电阻性能,有助于设备进一步节能

新模块中使用的是ROHM产的SiC SBD和SiC MOSFET。通过SiC SBD和SiC MOSFET的最佳组合配置,使导通电阻低于同等普通产品10%,这将非常有助于应用进一步节能。

SiC功率模块的产品阵容:

漏电流功率元器件中从绝缘的位置泄漏出来的微小电流。抑制漏电流可防止元器件损坏和功耗增加。

高温高湿反偏试验(HV-H3TRB:High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias)对于在高温高湿环境下使用功率元器件时的耐久性进行评估的试验。通过电场和水分引起的绝缘处漏电流的增加,来检测绝缘击穿等故障现象。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


STMicroelectronics (ST) 的ACEPACK™ IGBT模块。Adaptable Compact Easier PACKage (ACEPACK) 模块属于专为工业应用而开发的新型塑料电源模块系列,可为3 kW – 30 kW的工业和电源管理解决方案提供高成本效益、高集成度的功率转换功能。这些稳健的模块兼具高功率密度和可靠性,实现了低导通电阻与高开关性能的完美组合。

ST ACEPACK IGBT模块有两种紧凑型配置,并采用ST的第三代沟槽式场截止IGBT。设计师可以选择six-pack模块或功率集成模块 (PIM)。six-pack模块内置六个IGBT和续流二极管,可用作三相逆变器。PIM是转换器-逆变器-制动器 (CIB) 模块,集成有三相整流器、三相逆变器和处理负载反馈能量的制动斩波器,提供完整驱动功率级。这两种模块还内置有NTC热敏电阻,用于感测和控制温度。

IGBT PIM模块产品,分别有P2、P3两款封装外形,1200V,电流10A~35A,芯片参数稳定,一致性优异,产品采用环保材料,符合RoHS标准,主要应用于电动驱动器、交直流伺服驱动放大器和不间断电源。

产品特点

最大工作结温175℃

低开关损耗

低饱和压降,正温度系数

具有超快速和软恢复特性的续流二极管

高短路电流能力(10us以上)

饱和压降低,减少工作损耗

使用DBC结构的绝缘性散热底板。


优异的导通电阻性能,有助于设备进一步节能

新模块中使用的是ROHM产的SiC SBD和SiC MOSFET。通过SiC SBD和SiC MOSFET的最佳组合配置,使导通电阻低于同等普通产品10%,这将非常有助于应用进一步节能。

SiC功率模块的产品阵容:

漏电流功率元器件中从绝缘的位置泄漏出来的微小电流。抑制漏电流可防止元器件损坏和功耗增加。

高温高湿反偏试验(HV-H3TRB:High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias)对于在高温高湿环境下使用功率元器件时的耐久性进行评估的试验。通过电场和水分引起的绝缘处漏电流的增加,来检测绝缘击穿等故障现象。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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