更宽的带隙、更高的临界击穿电压、更快的电子速度、更高的导热系数、更高的电子迁移率等。利用两个材料制作的器件则主要是GaN FET和SiC FET。

GaN和SiC本身的特性与开关电源可以说是“天生一对”，能够实现更快的开关速度，正因为开关过程中会产生功率、功耗和热损失，因此更快的速度能够有效减少功率、功耗和过冲。

GaN经验积累，不仅实现速度翻倍、功耗减半、拥有超过4000万可靠性小时的实验资料，还会在自己的工厂和供应链上生产，以保证支持客户的不间断业务。

面向面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），与此同时并对TI的GaN FET技术进行了详细的剖析。

其他的特点包括：

符合高性能PCIe Gen4 x4与NVMe 1.4规范；

支持NVMe、独有的Open Channel及Key Value SSD的Turnkey解决方案；

容量支持最高可达16TB；

通过实体和逻辑隔离实现一致性的低延迟；

AES 256等级的硬件数据安全性，可支持SED、安全启动、符合TCG Opal标准。

两款GaN相关产品发布，一款是针对汽车市场的650V GaN FET，另一款则是针对工业市场的600V GaN FET。型号中带有Q1的为650V GaN FET产品，没有带有Q1的则是600V GaN FET产品。高压电源应用产品这两款产品的详细参数和性能。650V汽车GaN FET：LMG3525R030-Q1产品是基于预测汽车未来市场所推出的，利用GaN技术可为汽车带来更快的充电时间、更高的可靠性和更低的成本。

LMG3525R030-Q1是一款集成驱动和保护功能的650V汽车GaN FET，可以提高系统长期稳定性并缩短充电时间。

这款产品与现有的硅基和碳化硅方案相比可以减小车载充电器50%的体积，这主要得益于高达2.2-MHz的切换频率和集成驱动所发挥的优势。离散解决方案无法达到如此高速的切换频率和如此大的压摆率。

(素材来源：21IC和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）