EPC2204的导通电阻降低了25%，但尺寸却缩小了3倍。 与基准硅MOSFET器件相比，其栅极电荷(QG)小超过50%，并且与所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷(QRR)，从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真和更高效的同步整流器和电机驱动器。

100 V基准硅场效应晶体管与100 V 氮化镓场效应晶体管的性能比较

100 V eGaN FET的价格会更高。但这些最先进的100 V晶体管的价格与等效老化器件相近。我们为设计工程师提供的氮化镓器件的优势是性能更高、尺寸更小、散热效率更高且成本相近。氮化镓器件正在加速替代功率MOSFET器件。

以太网链路测试解决方案主要有以下功能：

创建测试模板，其中包含规范中所有必需的测试。

每次执行测量时自动设置网络分析仪，并应用已定义好的测试限值。

针对已运行的每项测试，发布详细的测试报告。

以太网解决方案套件提供了实施一致性测试所需要的硬件、软件、电缆和附件。新的接收机测试软件和更新版的传输一致性测试应用软件，后者可在单个应用中提供 4 种不同的数据速率，包括Multi-Gig IEEE 802.3ch 的初始版本。

非扩散控制原理依据电镀工艺中占执政影响力的非外扩散要素，可将化学添加剂的非扩散控制原理分成电吸咐原理、络离子形成原理(包含正离子桥原理)、离子对原理、转变赫姆霍兹电位差原理、转变电级界面张力原理等多种多样。

扩散控制原理在大部分状况下，化学添加剂向负极的外扩散(而不是金属离子的外扩散)影响着金属材料的电堆积效率。这是由于金属离子的浓度值通常为化学添加剂浓度值的110～130倍，对金属离子来讲，电极反应的电流强度远远地小于其极限点电流强度。

在化学添加剂扩散控制状况下，大部分化学添加剂颗粒外扩散并吸咐在电级界面张力过大的凸突处、活性部位及特殊性的晶向上，导致电级表层吸咐分子转移到电级表层凹处并进入到晶格常数，因此具有平整明亮功效。

(素材来源：21IC.如涉版权请联系删除。特别感谢）