TI的GaN可靠性测试4000万小时是怎样实施的？实际上，在可靠性方面，TI有可靠性实验室，会针对硬开和软开的情况进行很多的可靠性测试。硬开时功率等级可达4000W以上，会进行7×24小时的测试，并且在测试的同时进行数据采集，来判断以及分析GaN的可靠性。在浪涌方面也进行了很多测试，使TI的GaN可以承受高于720V的浪涌，使得在过压时也可顺利地进行开关。TI通过可靠性测试，并且在诞生可靠性标准方面也进行了领导和引领作用。

在制造方面，TI所有GaN的生产全部都属于自有的，从来不外包设计。相关的工厂在达拉斯，现在的工厂正在往更大尺寸的晶圆方向发展，使将来GaN的成本也会更低。

此系列中的所有装置皆具备包含 Schmitt 触发的标准 TTL/CMOS 逻辑输入，最低能以 3.3V 运作，因此很容易将驱动器连接至控制电路。其输出的设计可承受负瞬态，并包含适用于高侧与低侧驱动器的欠压锁定。

DGD2003S8 与 DGD2005S8 分别具有 290mA 与 600mA 的源极与汲极电流，DGD2012S8 则为 1.9A 与 2.3A，在其范围内皆可维持功率效率。DGD2003S8 具有固定的 420ns 内部停滞时间，而 DGD2005S8 在高侧与低侧之间切换时，最大传播时间为 30ns。

DGD2003S8、DGD2005S8 及 DGD2012S8 皆提供 SO-8 封装，并可在 -40℃至+125℃ 的宽广温度范围中运作。

全新FRAM（铁电随机存储器）解决方案---MB85RS128TY和MB85RS256TY，此为该全新产品系列的首推器件。这两款器件可在高达摄氏125度的高温环境下运作，专为汽车产业和安装有电机的工业控制机械等设计，且符合严苛的汽车行业AEC Q100标准规范。富士通电子希望通过该全新产品系列拓展其汽车市场的各种应用，并支持产品创新的研发项目。

由于FRAM属于非失去性内存，不仅能进行高速随机存取，且拥有高耐写度的特性，因此能以最佳的性能满足这类应用的需求。目前，FRAM器件能支持如安全气囊数据储存、事故数据记录器（EDR）、电池管理系统（BMS）、汽车驾驶辅助系统（ADAS）及导航与信息娱乐系统等应用中的实时且持续的数据储存，故能降低系统复杂度并提高数据完整性。