我们将Dcosφ记为DR，Dsinφ记为DX。它们分别为被测信号幅值的实部与虚部。

其实质是积分后再取平均，可以认为是一个均值滤波的过程。既然如此，我们可以向其中引入更有效的滤波算法，以使最终的计算结果精度更高。通过对上面的数学推倒进行改进，可以得到。

通过推导分离出直流与交流两个部分，可以使用低通滤波将其交流部分去掉，最终可得到直流部分，即被测信号幅值的实部与虚部。

使用MATLAB软件对数字相敏检波算法改进前后进行仿真与对比，进而对其具体表现进行评价。

使用MATLAB对改进前后数字相敏检波进行仿真与对比。

2SC3324-GR数据表

制造商: Toshiba

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  详细信息  

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-346-3

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: - 120 V

集电极—基极电压 VCBO: - 120 V

发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V

增益带宽产品fT: 100 MHz

系列: 2SA1312

直流电流增益 hFE 最大值: 700  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

封装: Reel  

商标: Toshiba  

集电极连续电流: - 100 mA  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 200  

Pd-功率耗散: 150 mW  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

单位重量: 28 mg

用于EV的车载充电器和DC/DC转换器,TI带来了其首个汽车级的GaN：LMG3525R030-Q1，是650V GaN FET，具有集成驱动器和保护功能。与现有的Si或SiC解决方案相比，使用TI的新型车用GaN FET可将电动汽车（EV）车载充电器和DC/DC转换器的尺寸减少多达50％，从而使工程师能够延长电池续航，提高系统可靠性并降低设计成本。

工业级产品是LMG3425EVM-043，是600V的GaN FET，可在更低功耗和更小电路板空间占用的情况下，在AC/DC电力输送应用（例如超大规模的企业计算平台以及5G电信整流器）中实现更高的效率和功率密度。

得益于TI GaN集成的优势，可以将功率密度增加很大，能提供大于150V/ns和大于2.2 MHz的业界更快切换速度。高压摆率和高切换速度能将电路中的磁元件减少得更小，通过集成可将功率磁元件体积减少59%，以及减少十多个组件。