高共模瞬态数据通道的光信号
发布时间:2020/11/7 12:52:07 访问次数:905
SuperNova 可提供 256 个数据通道的光信号,最高带宽相当于 8.192 TB/s 。
智能光学 I/O 小芯片使之能够专注于核心功能的集成和制程工艺发展,同时将 I/O 任务交给低功耗、高吞吐量的光学小芯片上,最终实现逻辑与物理连接相融合的新系统形态。
最后本次 B 轮融资由 Downing Ventures、BlueSky Capital 领衔,新投资者包括 Applied Applieds、Castor Ventures、Downing Ventures 和 SGInnovate 联手共同领导。
现有投资者还包括 BlueSky Capital、Founders Fund、GlobalFoundries、Intel Capital、Lockheed Martin Ventures 和 Playground Global,目前总部位于加州圣克拉拉的 Ayar Labs 的融资总额已超过 6000 万美元。
器件具有高共模瞬态免疫150 kV/μs,工作结温125C, UL recognition per UL 1577 5700 V rms延续一分钟.主要用在开关电源,隔离的IGBT/MOSFET栅极驱动器,工业逆变器,氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容.
型号0430250408描述CONN RCPT HSG 4POS 3.00MM最低购买数量1厂家Molex包装Bulk系列Micro-Fit3.043025零件状态Active连接器类型Receptacle触头类型FemaleSocket针脚数4间距0.118"(3.00mm)排数2排距0.118"(3.00mm)安装类型FreeHanging(In-Line)触头端接Crimp紧固类型LatchLock颜色Black
型号MAX14830EVKIT#描述EVAL KIT QUAD SER UART MAX14830厂家MaximIntegrated包装-系列-零件状态Active类型Interface功能UART嵌入式No使用的IC/零件MAX14830主要属性4-Channel(Quad)所含物品Board(s)
ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2是4A隔离的半桥栅极驱动器,采用ADI公司的iCouplerR技术,提供单独的和隔离的高边和低边输出.该器件组合了高速CMOS和单片变压器技术,和其它器件如脉冲变压器和栅极驱动器组合相比,具有杰出的性能,逻辑输入电压从2.5V到6.5V,和低电压系统兼容.
器件具有高共模瞬态免疫150 kV/μs,工作结温125C, UL recognition per UL 1577 5700 V rms延续一分钟.主要用在开关电源,隔离的IGBT/MOSFET栅极驱动器,工业逆变器,氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容.
制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS:否商标:Infineon Technologies配置:Hex集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.3 V在25 C的连续集电极电流:40 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:EconoPIM3-24栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:200 W工厂包装数量:10
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
SuperNova 可提供 256 个数据通道的光信号,最高带宽相当于 8.192 TB/s 。
智能光学 I/O 小芯片使之能够专注于核心功能的集成和制程工艺发展,同时将 I/O 任务交给低功耗、高吞吐量的光学小芯片上,最终实现逻辑与物理连接相融合的新系统形态。
最后本次 B 轮融资由 Downing Ventures、BlueSky Capital 领衔,新投资者包括 Applied Applieds、Castor Ventures、Downing Ventures 和 SGInnovate 联手共同领导。
现有投资者还包括 BlueSky Capital、Founders Fund、GlobalFoundries、Intel Capital、Lockheed Martin Ventures 和 Playground Global,目前总部位于加州圣克拉拉的 Ayar Labs 的融资总额已超过 6000 万美元。
器件具有高共模瞬态免疫150 kV/μs,工作结温125C, UL recognition per UL 1577 5700 V rms延续一分钟.主要用在开关电源,隔离的IGBT/MOSFET栅极驱动器,工业逆变器,氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容.
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器件具有高共模瞬态免疫150 kV/μs,工作结温125C, UL recognition per UL 1577 5700 V rms延续一分钟.主要用在开关电源,隔离的IGBT/MOSFET栅极驱动器,工业逆变器,氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容.
制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS:否商标:Infineon Technologies配置:Hex集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:2.3 V在25 C的连续集电极电流:40 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:EconoPIM3-24栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:200 W工厂包装数量:10
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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