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隔离栅极驱动器瞬态噪声抑制能力

发布时间:2020/11/5 12:08:45 访问次数:825

Silicon Labs系列产品提供了独特的升压器件,可提供更高的拉电流,实现更快的FET导通速度。对称的4A灌/拉电流能力意味着拉电流几乎是前代驱动器的两倍,这有助于减少开关损耗。新的隔离栅极驱动器将延迟减少了一半,最大传播延迟为30ns,从而减少了反馈环路延迟,可获得更高的系统效率。这些驱动器还改进了瞬态噪声抑制能力,进而确保可在固有噪声环境中可靠运行。输入电压范围(VDDIH)也得到了扩展,从4.5V至20V,支持与典型模拟控制器的电源轨直接接口。

由于空间限制至关重要,因此Si823Hx/Si825xx具有多种封装选项。一款紧凑型驱动器现在采用了8引脚封装,而不是类似的16引脚封装,从而减小了系统尺寸并降低了成本。

全新的隔离可靠性优势。我们的HiRel客户正在寻求强大的电源解决方案,我们有信心与Silicon Labs建立新的合作伙伴关系,将为航天、航空、石油和天然气以及军事公司提供新的独立门驱动器,帮助他们加强和加强其系统设计。

基于TelesiX2020系列的827DY4系列产品将提供定制解决方案。新的设备非常适合与Teledyne的HiRel GaN HEMTs新家族TDG650家族相媲美。适用的Teledyne部件包括TDGD271DEP(Si8271GB IS)TDGD274DEP(Si8274GB1-IS1)和TDGD274FEP(Si8274GB1-IM1)。

新升级的功能包括过热保护,当温度过高时,会触发驱动器自动关闭。附加的安全功能包括停滞时间、重叠保护和输入噪声毛刺消除,从而最大程度提高安全性。

新型Silicon Labs Si823Hx/825xx隔离栅极驱动器。

基于Silicon Labs门驱动器的新Teledyne系列由于其更快的开关速率,非常适合于GaN应用,并提供了单个驱动器或单个IC封装中两个4A隔离驱动器组合的选项,用于隔离门驱动应用。该产品具有高性能的抗噪声能力,消除了快速开关速度带来的风险。快速切换产生的高噪声瞬态不会影响驱动器的信号完整性,从而消除了错误切换或闭锁的风险。

(素材来源:chinaaet.如涉版权请联系删除。特别感谢)

Silicon Labs系列产品提供了独特的升压器件,可提供更高的拉电流,实现更快的FET导通速度。对称的4A灌/拉电流能力意味着拉电流几乎是前代驱动器的两倍,这有助于减少开关损耗。新的隔离栅极驱动器将延迟减少了一半,最大传播延迟为30ns,从而减少了反馈环路延迟,可获得更高的系统效率。这些驱动器还改进了瞬态噪声抑制能力,进而确保可在固有噪声环境中可靠运行。输入电压范围(VDDIH)也得到了扩展,从4.5V至20V,支持与典型模拟控制器的电源轨直接接口。

由于空间限制至关重要,因此Si823Hx/Si825xx具有多种封装选项。一款紧凑型驱动器现在采用了8引脚封装,而不是类似的16引脚封装,从而减小了系统尺寸并降低了成本。

全新的隔离可靠性优势。我们的HiRel客户正在寻求强大的电源解决方案,我们有信心与Silicon Labs建立新的合作伙伴关系,将为航天、航空、石油和天然气以及军事公司提供新的独立门驱动器,帮助他们加强和加强其系统设计。

基于TelesiX2020系列的827DY4系列产品将提供定制解决方案。新的设备非常适合与Teledyne的HiRel GaN HEMTs新家族TDG650家族相媲美。适用的Teledyne部件包括TDGD271DEP(Si8271GB IS)TDGD274DEP(Si8274GB1-IS1)和TDGD274FEP(Si8274GB1-IM1)。

新升级的功能包括过热保护,当温度过高时,会触发驱动器自动关闭。附加的安全功能包括停滞时间、重叠保护和输入噪声毛刺消除,从而最大程度提高安全性。

新型Silicon Labs Si823Hx/825xx隔离栅极驱动器。

基于Silicon Labs门驱动器的新Teledyne系列由于其更快的开关速率,非常适合于GaN应用,并提供了单个驱动器或单个IC封装中两个4A隔离驱动器组合的选项,用于隔离门驱动应用。该产品具有高性能的抗噪声能力,消除了快速开关速度带来的风险。快速切换产生的高噪声瞬态不会影响驱动器的信号完整性,从而消除了错误切换或闭锁的风险。

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