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对串联锂电池组的充放电保护

发布时间:2020/11/2 9:02:02 访问次数:812

锂电池保护板是对串联锂电池组的充放电保护;在充满电时能保证各单体电池之间的电压差异小于设定值(一般±20mV),实现电池组各单体电池的均充,有效地改善了串联充电方式下的充电效果;同时检测电池组中各个单体电池的过压、欠压、过流、短路、过温状态,保护并延长电池使用寿命;欠压保护使每一单节电池在放电使用时避免电池因过放电而损坏。

锂电池保护板技术参数

均衡 电流 :80mA(VCELL=4.20V时)

均衡起控点:4.18±0.03 V过充门限:4.25±0.05 V (4.30±0.05 V可选)

过放门限 :2.90±0.08 V (2.40±0.05 V可选)

过放延时 :5mS

过放释放 :断开负载,并且各单体电池电压均高于过放门限;

过流释放 :断开负载释放

过温保护 :有接口,需安装可恢复性温度保护开关;

工作电流 :15A(根据客户选择)

静态功耗 :<<0.5mA

保护板过放电保护控制原理

当电芯通过外接的负载进行放电时,电芯的电压将慢慢降低,同时DW01 内部将通过R1电阻实时监测电芯电压,当电芯电压下降到约2.3V时DW01 将认为电芯电压已处于过放电电压状态,便立即断开第1脚的输出电压,使第1脚电压变为0V,8205A内的开关管因第5脚无电压而关闭。此时电芯的B-与保护板的P-之间处于断开状态。即电芯的放电回路被切断,电芯将停止放电。

保护板处于过放电状态并一直保持。等到保护板的P 与P-间接上充电电压后,DW01 经B-检测到充电电压后便立即停止过放电状态,重新在第1脚输出高电压,使8205A内的过放电控制管导通,即电芯的B-与保护板的P-又重新接上,电芯经充电器直接充电。


28纳米光刻机,预计这28纳米光刻机将在2021年底到2022年之间进行量产,而且这个28纳米光刻机通过多次曝光之后,可以用于生产14纳米甚至10纳米的芯片。

作为中国大陆技术最先进、规模最大的晶圆代工企业,中芯国际历时多年,制程工艺从0.18微米技术节点发展至如今的N+1工艺。一站式IP和定制芯片企业芯动科技官方宣布,已完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过。

碳基纳米管芯片研发团队在新型碳基半导体领域取得了重大的研究成果,并实现了碳基纳米管晶体管芯片制造技术的全球领先地位;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所成功研发出了一种新型5nm高精度激光光刻加工方法。


(素材来源:21IC.如涉版权请联系删除。特别感谢)


锂电池保护板是对串联锂电池组的充放电保护;在充满电时能保证各单体电池之间的电压差异小于设定值(一般±20mV),实现电池组各单体电池的均充,有效地改善了串联充电方式下的充电效果;同时检测电池组中各个单体电池的过压、欠压、过流、短路、过温状态,保护并延长电池使用寿命;欠压保护使每一单节电池在放电使用时避免电池因过放电而损坏。

锂电池保护板技术参数

均衡 电流 :80mA(VCELL=4.20V时)

均衡起控点:4.18±0.03 V过充门限:4.25±0.05 V (4.30±0.05 V可选)

过放门限 :2.90±0.08 V (2.40±0.05 V可选)

过放延时 :5mS

过放释放 :断开负载,并且各单体电池电压均高于过放门限;

过流释放 :断开负载释放

过温保护 :有接口,需安装可恢复性温度保护开关;

工作电流 :15A(根据客户选择)

静态功耗 :<<0.5mA

保护板过放电保护控制原理

当电芯通过外接的负载进行放电时,电芯的电压将慢慢降低,同时DW01 内部将通过R1电阻实时监测电芯电压,当电芯电压下降到约2.3V时DW01 将认为电芯电压已处于过放电电压状态,便立即断开第1脚的输出电压,使第1脚电压变为0V,8205A内的开关管因第5脚无电压而关闭。此时电芯的B-与保护板的P-之间处于断开状态。即电芯的放电回路被切断,电芯将停止放电。

保护板处于过放电状态并一直保持。等到保护板的P 与P-间接上充电电压后,DW01 经B-检测到充电电压后便立即停止过放电状态,重新在第1脚输出高电压,使8205A内的过放电控制管导通,即电芯的B-与保护板的P-又重新接上,电芯经充电器直接充电。


28纳米光刻机,预计这28纳米光刻机将在2021年底到2022年之间进行量产,而且这个28纳米光刻机通过多次曝光之后,可以用于生产14纳米甚至10纳米的芯片。

作为中国大陆技术最先进、规模最大的晶圆代工企业,中芯国际历时多年,制程工艺从0.18微米技术节点发展至如今的N+1工艺。一站式IP和定制芯片企业芯动科技官方宣布,已完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过。

碳基纳米管芯片研发团队在新型碳基半导体领域取得了重大的研究成果,并实现了碳基纳米管晶体管芯片制造技术的全球领先地位;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所成功研发出了一种新型5nm高精度激光光刻加工方法。


(素材来源:21IC.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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