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PDP驱动电路的电压高压脉冲

发布时间:2020/10/31 12:10:41 访问次数:936

在PDP的总功耗中,并非只有气体放电功耗,因为在PDP的驱动电路中,需要大功率、高频开关电路来为PDP提供气体放电所需要的各种高压脉冲,虽然PDP显示屏的寄生电容并不消耗能量,但是它们的充电与放电将导致在电路的电阻及电极引线电阻中的能量耗损。

PDP驱动电路的电压幅值为负几十伏到正几百伏左右,工作频率100~233kHz,驱动电路的设计选型对PDP整机系统的画面质量、工作效率等尤为重要。

AwD方法——即“寻址的同时显示”。寻址、维持、擦除脉冲组合在一起施加,可降低寻址电压,从而降低无用功耗。由于维持时间占据了一个子场的大部分时间,故维持脉冲的频率可以降低。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 开关稳压器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: LQFN-40

输出电压: 250 mV to 5.5 V

输出电流: 40 A

输出端数量: 1 Output

最大输入电压: 16 V

拓扑结构: Buck

最小输入电压: 2.95 V

开关频率: 225 kHz to 1.5 MHz

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

系列: TPS546D24

封装: Reel

输入电压: 2.95 V to 16 V

类型: PMBus Buck Converter

商标: Texas Instruments

关闭: No Shutdown

湿度敏感性: Yes

产品类型: Switching Voltage Regulators

工厂包装数量: 2500

子类别: PMIC - Power Management ICs

电源电压-最小: 2.95 V

在PDP的驱动电路中,寻址驱动电路的频率最高,除了在寻址驱动电路中使用能量恢复技术之外,降低寻址驱动电路的脉冲电压也可以显著降低寻址功耗。降低寻址电压脉冲可采用以下几种方法。


为了满足高压器件工作性能的需求,降低高压驱动部分的无用功耗,PDP驱动IC在设计和工艺上需采取如下比普通的集成电路更为严格的控制措施。

采用SOI工艺结构,与常规功率模块相比能量损耗可大大降低

采用介质隔离,使驱动IC内部的输出嵌位二极管可避免串扰现象

对于内部元器件结构和布局等给予特殊地处理,利用内部控制可消除高压开关时的穿透电流

(素材来源:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

在PDP的总功耗中,并非只有气体放电功耗,因为在PDP的驱动电路中,需要大功率、高频开关电路来为PDP提供气体放电所需要的各种高压脉冲,虽然PDP显示屏的寄生电容并不消耗能量,但是它们的充电与放电将导致在电路的电阻及电极引线电阻中的能量耗损。

PDP驱动电路的电压幅值为负几十伏到正几百伏左右,工作频率100~233kHz,驱动电路的设计选型对PDP整机系统的画面质量、工作效率等尤为重要。

AwD方法——即“寻址的同时显示”。寻址、维持、擦除脉冲组合在一起施加,可降低寻址电压,从而降低无用功耗。由于维持时间占据了一个子场的大部分时间,故维持脉冲的频率可以降低。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 开关稳压器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: LQFN-40

输出电压: 250 mV to 5.5 V

输出电流: 40 A

输出端数量: 1 Output

最大输入电压: 16 V

拓扑结构: Buck

最小输入电压: 2.95 V

开关频率: 225 kHz to 1.5 MHz

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

系列: TPS546D24

封装: Reel

输入电压: 2.95 V to 16 V

类型: PMBus Buck Converter

商标: Texas Instruments

关闭: No Shutdown

湿度敏感性: Yes

产品类型: Switching Voltage Regulators

工厂包装数量: 2500

子类别: PMIC - Power Management ICs

电源电压-最小: 2.95 V

在PDP的驱动电路中,寻址驱动电路的频率最高,除了在寻址驱动电路中使用能量恢复技术之外,降低寻址驱动电路的脉冲电压也可以显著降低寻址功耗。降低寻址电压脉冲可采用以下几种方法。


为了满足高压器件工作性能的需求,降低高压驱动部分的无用功耗,PDP驱动IC在设计和工艺上需采取如下比普通的集成电路更为严格的控制措施。

采用SOI工艺结构,与常规功率模块相比能量损耗可大大降低

采用介质隔离,使驱动IC内部的输出嵌位二极管可避免串扰现象

对于内部元器件结构和布局等给予特殊地处理,利用内部控制可消除高压开关时的穿透电流

(素材来源:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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