全球先进工艺芯片IP和定制，拥有自主全系列高带宽高性能计算IP技术，多次在先进工艺上填补国内空白，核心技术支持了全球客户数十亿颗高端SOC量产。

自2019年始，芯动在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下，团队全程攻坚克难，投入数千万元设计优化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。

芯动科技与全球知名代工厂已有多年国产IP生态共建的合作，为大量国内和全球客户实现从成熟工艺（55nm、40nm、28nm、22nm等)到先进工艺（如FinFET 14nm、12nm、7nm等）的不断跨越，在各先进工艺中规模IP授权和定制批量生产高端SOC，包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先进技术规模量产，连续多年获得中芯国际“最佳IP合作伙伴”奖。

芯动科技基于国产N+1新工艺的率先里程碑NTO流片验证成功，为国产半导体生态链再立新功。

制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS: 详细信息产品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:1.75 V在25 C的连续集电极电流:150 A栅极—射极漏泄电流:100 nA最大工作温度:+ 150 C封装 / 箱体:Module封装:Bulk商标:Infineon Technologies栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMTPd-功率耗散:790 W工厂包装数量:10

标准包装 3,000包装 标准卷带零件状态有源类别产品族PMIC - 电池充电器系列-其它名称296-39552-2

规格电池化学锂离子/聚合物电池数1电流 - 充电恒流 - 可编程可编程特性电流故障保护过流，超温，过压充电电流 - 最大值3A电池组电压4.4V（最大）电压 - 供电（最高）6.2V接口I2C，USB工作温度-40°C ~ 85°C（TA）安装类型表面贴装型封装/外壳24-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装24-VQFN（4x4）

在5G无线基站、交换机等设备的主控芯片上，中兴自研的7纳米芯片已实现市场商用，5纳米还在实验阶段。

中兴在芯片、操作系统的自主创新发展，以前我们都是自用。实际上我们投入了大量的人员在搞研发，比如成都有近4000人在研发自主操作系统。

中兴通讯的7纳米和5纳米芯片均为5G基站用的芯片。中兴也是中国当前量产7纳米导入5纳米的企业。

中兴通讯回应过有关7nm、5nm半导体芯片的传闻，其表示，在芯片设计领域，中兴通讯专注于通信芯片的设计，并不具备芯片生产制造能力。在专用通信芯片的设计上，公司有20多年的经验积累，具备从芯片系统架构到后端物理实现的全流程定制设计能力。