半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片
发布时间:2020/10/10 17:39:27 访问次数:2244
ST独有的MasterGaN产品平台是基于我们的经过市场检验的专业知识和设计能力,整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术而成,能够加快节省空间、高能效的环境友好型产品的开发。
MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品,集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。
MasterGaN1现已量产,采用9mm x 9mm GQFN封装,厚度只有1mm。
意法半导体还提供一个产品评估板,帮助客户快速启动电源产品项目。 该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管,并以引脚兼容的半桥产品形式供货,方便工程师成功升级现有系统,并尽可能少地更改硬件。
该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管,并以引脚兼容的半桥产品形式供货,方便工程师成功升级现有系统,并尽可能少地更改硬件。

新型R52系列紧凑型聚丙烯薄膜X2 EMI(电磁干扰)抑制电容器。该系列可满足汽车、工业、消费和能源应用对更小的抑制EMI用大电容X2类解决方案不断增长的需求。
R52系列可提供高达22µF的电容值、85/85 THBIIB等级的分级,并且在恶劣的环境条件下具有长寿命稳定性,与市场上相同电容值范围的其他X2解决方案相比,其体积平均要小60%。仅凭这些特性,R52便成为了出色的X2类解决方案,可为多个行业的设计工程师解决尺寸、电容和可靠性方面的挑战。
R52系列满足AEC-Q200汽车标准,可用于电动和混动汽车车载电池充电器系统中DC/DC转换器的设计。

其独特的设计功能非常适合工业和消费类应用,例如用于VFD(变频驱动器)和LED(发光二极管)驱动器的EMI滤波。
支持能量密度较高的应用,例如紧凑型电容式电源。R52电容器的设计满足智能电网硬件所要求的高可靠性标准——这类硬件通常位于难以接触的地方,因此无法提供常规服务。
与R52系列相当的现有解决方案,不是尺寸更大,就是在设计中需要并联电容器。这些解决方案会占用更多的PCB(印制电路板)空间,从而导致成本增加和可靠性降低。与市场上同类X2薄膜解决方案相比,R52系列提供了最高的电容密度和更小的占板面积。
(素材来源:eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
ST独有的MasterGaN产品平台是基于我们的经过市场检验的专业知识和设计能力,整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术而成,能够加快节省空间、高能效的环境友好型产品的开发。
MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品,集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。
MasterGaN1现已量产,采用9mm x 9mm GQFN封装,厚度只有1mm。
意法半导体还提供一个产品评估板,帮助客户快速启动电源产品项目。 该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管,并以引脚兼容的半桥产品形式供货,方便工程师成功升级现有系统,并尽可能少地更改硬件。
该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管,并以引脚兼容的半桥产品形式供货,方便工程师成功升级现有系统,并尽可能少地更改硬件。

新型R52系列紧凑型聚丙烯薄膜X2 EMI(电磁干扰)抑制电容器。该系列可满足汽车、工业、消费和能源应用对更小的抑制EMI用大电容X2类解决方案不断增长的需求。
R52系列可提供高达22µF的电容值、85/85 THBIIB等级的分级,并且在恶劣的环境条件下具有长寿命稳定性,与市场上相同电容值范围的其他X2解决方案相比,其体积平均要小60%。仅凭这些特性,R52便成为了出色的X2类解决方案,可为多个行业的设计工程师解决尺寸、电容和可靠性方面的挑战。
R52系列满足AEC-Q200汽车标准,可用于电动和混动汽车车载电池充电器系统中DC/DC转换器的设计。

其独特的设计功能非常适合工业和消费类应用,例如用于VFD(变频驱动器)和LED(发光二极管)驱动器的EMI滤波。
支持能量密度较高的应用,例如紧凑型电容式电源。R52电容器的设计满足智能电网硬件所要求的高可靠性标准——这类硬件通常位于难以接触的地方,因此无法提供常规服务。
与R52系列相当的现有解决方案,不是尺寸更大,就是在设计中需要并联电容器。这些解决方案会占用更多的PCB(印制电路板)空间,从而导致成本增加和可靠性降低。与市场上同类X2薄膜解决方案相比,R52系列提供了最高的电容密度和更小的占板面积。
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