NPN 双极型晶体管 Q1 是最重要的组件。笔者首先选择了这种器件。该晶体管应符合下列要求：

集电极至发射极和基极至发射极的击穿电压应超过最高输入电压 Vin_max。

集电极最大允许电流应超过最大负载电流 Io_max。

除了这两项基本要求之外，使用具有备选封装的组件也是一个好主意。当涉及到功耗时，拥有这种灵活性将会简化以后的设计过程。具有备选封装和不同额定功率的 NPN 晶体管。

所用 NPN 晶体管的关键特性。

当 IC = 50mA 时：

直流(DC)电流增益 hFE = 60;

集电极 - 发射极最高饱和电压 VCEsat = 300mV;

基极 - 发射极最高饱和电压 VBEsat = 950mV。

齐纳二极管 Dz 的选择

输出电压等于反向齐纳电压 VZ 减去该晶体管基极至发射极电压 VBE。最低反向齐纳电压应符合下述要求。

晶体管 Q1 而言，因为有限流电阻器 RC，所以在短路事件中不会发生最坏情况下的功耗。在正常运行期间 Q1 的功耗是集电极电流的函数.

当满足下列条件时，会发生最坏的情况：

VIN = VIN_max

VO = VO_min

IC = (VIN_max – VO_min)/(2×RC)

Q1 的最大功耗为(VIN_max – VO_min)2/(4×RC)。在本示例中，它是 110mW。笔者选择了一种额定功率为 350mW、采用 SOT23 封装的小外形晶体管。

至于 RB 的最大功耗，在具有最大输入的短路事件中会发生最坏的情况。跨 RB 的电压等于输入电压减去 VBE(sat)。最大功耗估计为 38mW。

可编程为 18kΩ或 180kΩ的内部上拉电阻，一次自动偏置一个热敏电阻。上拉电阻器在出厂调试期间进行测量，其值以数字方式存储在器件中，用于温度计算。

电压 ADC 以 REG18 电压为基准，按比例测量热敏电阻引脚电压。每个热敏电阻上的电压每隔一到三个测量循环测量一次。原始 ADC 计数值可通过 DASTATUS6()子命令获得。在正常模式下，器件每隔 250ms 将这些测量值转换为温度；在睡眠模式下，器件每隔一次测量将这些测量值转换为温度。

BQ76942 和 BQ76952 采用基于 ADC 测量的五阶多项式来计算温度。这些器件包括用于以下各项的默认多项式系数：

使用 18kΩ上拉电阻的 Semitec 103-AT 热敏电阻（25°C 时 10kΩ，B25/85 = 3,435 k）。

使用 180kΩ上拉电阻的 Semitec 204AP-2 热敏电阻（25°C 时 200kΩ，B25/85 = 4,470 k）。

为与其他热敏电阻配合使用而优化的自定义系数也可写入寄存器或一次性可编程存储器中。

每个启用的热敏电阻计算的温度以 0.1°K 为单位，可通过使用串行通信接口进行读取。

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