台积电2nm工艺取得重大突破，研发进度超前，业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。供应链透露，有别于3nm和5nm采用鳍式场效应晶体管（FinFET），台积电的2nm工艺改用全新的多桥通道场效电晶体（MBCFET）架构。

台积电去年成立了2nm专案研发团队，寻找可行路径进行开发。考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件，2nm采以环绕闸极（GAA）制程为基础的MBCFET架构，解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。

极紫外光（EUV）微显影技术的提升，使台积电研发多年的纳米片（Nano Sheet）堆叠关键技术更为成熟，良率提升进度较预期顺利。台积电此前透露2nm研发生产将在新竹宝山，规划P1到P4四个超大型晶圆厂，占地90多公顷。

JQYX2000×1.9风吸式粮食扦样器本机是一种新型多功能扦样器，对立筒仓、房式仓、地下仓的散存谷物(小麦、玉米、

高粱、稻谷等)可在0-20米范围内随意扦样、埋设测量电缆和药剂投放。所扦样品能较好

地保持原粮的原始质量状况。

产品参数：  

 功率:1000w 200V 50Hz

重量:主机6.5Kg

吸管0.35kg(铝) 0.76kg(钢)

外形:主机326×540×206mm

吸管22 x 1000mm/根

得益于FinFET 的发明，2011年英特尔推出了商业化的22nm FinFET。此后，基于FinFET业界将半导体

台积电同样采用MBCFET架构。台积电总裁魏哲家日前于玉山科技协会晚宴专讲时透露，台积电制程每前进一个世代，客户的产品速度效能提升30%- 40%，功耗可以降低20%-30%。

在GAA技术的采用上，三星更显激进。据悉三星3nm就会导入GAA，使其3nm工艺相比7nm性能提升35%，功耗降低50%。但台积电要到2nm才会导入GAA技术。

GAA可以带来性能和功耗的降低，但成本也非常高。市场研究机构International Business Strategies (IBS)给出的数据显示，28nm之后芯片的成本迅速上升。28nm工艺的成本为0.629亿美元， 5nm将暴增至 4.76 亿美元。三星称其3nm GAA 的成本可能会超过5亿美元。

新的晶体管也可能带来革命性的改变，一种叫做Bizen的晶体管架构，可能从另一方向打破CMOS极限。

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