采用ISOCELL等高新技术，引领超小尺寸、高清画质像素传感器潮流

提高颜色还原度和感光度，在小型芯片上也实现高清图像拍摄

推出的产品依次使用ISOCELL2.0技术，感光度最多提高12%

采用行交织HDR、智能ISO、EIS等摄像头技术

四种基于0.7um级工艺的移动设备图像传感器新产品，超小尺寸像素市场走向正规化

1.08亿像素（HM2）、64百万像素（GW3）、48百万像素（GM5）、32百万像素（JD1）

全球移动设备制造商的产品选择权扩大，可适用于多种设备

芯片大小、摄像头模组最多可分别减少15%和10%的厚度，缓解摄像头凸起问题

三星电子宣布扩充基于0.7μm（微米，百万分之一米）级像素工艺的移动设备图像传感器产品线，正式将市场扩大到超小尺寸像素产品。

30V HEXFET®Power mosfet专为体积小、效率高、热传导能力强的高密度应用而设计，非常适合笔记本电脑应用、服务器上使用的POL转换器，以及先进的电信和数据通信系统。这些30V HEXFET®Power mosfts比前几代提供了显著的栅氧化物改善，并提供了高性能，作为系统解决方案的一部分，以优化12VIN / 1-3VOUT DC-DC同步降压变换器的应用。低RDS(on)和低Qg使得这些英飞凌30V HEXFET®Power mosfet非常适合于负载点转换器应用。低导通损耗提高了全负荷效率和热工性能，而低开关损耗有助于在轻负荷下实现高效率。

产品种类:MOSFETRoHS:  技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:5.3 A

光继电器---TLP3480、TLP3481和TLP3482，这三款光继电器均采用P-SON4封装。这种全新封装的贴装面积显著小于SOP封装。

这三款新型光继电器均提供了可媲美SOP封装产品的断态输出端额定电压和导通额定电流。取决于具体器件，额定值从30V／4.5A到100V／2A不等。

新型P-SON4封装的贴装面积为7.2mm2（典型值），比2.54SOP4封装小74%，比2.54SOP6封装小84%，非常适合高密度贴装。这些继电器在接收器中还采用了东芝最新的MOSFET芯片，实现了低导通电阻。

(素材：chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除）