浮点通路驱动高边配置的N沟功率
发布时间:2020/9/1 23:00:31 访问次数:881
Microchip的AgileSwitch数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块工具包为设计工程师提供了强大的支持工具,确保管芯、电源组和栅极驱动器是专为彼此设计,从而消除了潜在的开发延迟。
开发工具
该工具包含有AgileSwitch智能配置工具,可优化栅极导通与关断、短路响应和模块效率,同时降低电压过冲、振铃和电磁干扰。
Microchip的AgileSwitch数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块工具包解决方案已投入量产,并提供限量样品。 Microchip的ASDAK-MSCSM70AM025CT6LIAG-01 AgileSwitch数字可编程栅极驱动器和1200V、495A单相引脚SP6LI SiC功率模块工具包。
制造商:Microchip
产品种类:以太网 IC
RoHS: 详细信息
系列:VSC8531
产品:Ethernet Transceivers
收发器数量:1 Transceiver
数据速率:10 Mb/s, 100 Mb/s, 1000 Mb/s
接口类型:RGMII, RMII
工作电源电压:1 V
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+ 125 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:QFN-48
封装:Tray
商标:Microchip / Microsemi
双工:Full Duplex, Half Duplex
湿度敏感性:Yes
产品类型:Ethernet ICs
标准:10BASE-T, 100BASE-TX, 1000BASE-T
工厂包装数量:490
子类别:Communication & Networking ICs
电源电压-最大:1.05 V
电源电压-最小:0.95 V
零件号别名:VSC8531XMW-02

650V半桥栅极驱动器,采用该公司的薄膜SOI技术,具有极好的鲁棒性和噪音免疫性.施密特触发逻辑输入和标准的CMOS或LSTTL逻辑兼容,直到3.3V.输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级,以最大限度降低驱动器的交叉导通.浮点通路用来驱动高边配置的N沟功率MOSFET或IGBT,电压高达650V.此外,离线的箝位功能提供固有的保护功能.输出源/沉电流+0.36 A/-0.7 A,集成了超快低RDS(ON)的自举二极管(BSD),负瞬态电压高达-100V(脉冲宽度达300ns),典型传输时延10ns, dV/dt免疫度±50 V,栅极驱动器电源从10V到20V.两个通路欠压锁住,3.3V,5V和15V输入逻辑兼容,RoHS兼容.主要用在马达驱动,通用逆变器,电冰箱压缩机,通信和照明的离线AC/DC电源的半桥和全桥转换器.
(素材:eccn和ttic.如涉版权请联系删除)
Microchip的AgileSwitch数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块工具包为设计工程师提供了强大的支持工具,确保管芯、电源组和栅极驱动器是专为彼此设计,从而消除了潜在的开发延迟。
开发工具
该工具包含有AgileSwitch智能配置工具,可优化栅极导通与关断、短路响应和模块效率,同时降低电压过冲、振铃和电磁干扰。
Microchip的AgileSwitch数字可编程栅极驱动器和SP6LI SiC功率模块工具包解决方案已投入量产,并提供限量样品。 Microchip的ASDAK-MSCSM70AM025CT6LIAG-01 AgileSwitch数字可编程栅极驱动器和1200V、495A单相引脚SP6LI SiC功率模块工具包。
制造商:Microchip
产品种类:以太网 IC
RoHS: 详细信息
系列:VSC8531
产品:Ethernet Transceivers
收发器数量:1 Transceiver
数据速率:10 Mb/s, 100 Mb/s, 1000 Mb/s
接口类型:RGMII, RMII
工作电源电压:1 V
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+ 125 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:QFN-48
封装:Tray
商标:Microchip / Microsemi
双工:Full Duplex, Half Duplex
湿度敏感性:Yes
产品类型:Ethernet ICs
标准:10BASE-T, 100BASE-TX, 1000BASE-T
工厂包装数量:490
子类别:Communication & Networking ICs
电源电压-最大:1.05 V
电源电压-最小:0.95 V
零件号别名:VSC8531XMW-02

650V半桥栅极驱动器,采用该公司的薄膜SOI技术,具有极好的鲁棒性和噪音免疫性.施密特触发逻辑输入和标准的CMOS或LSTTL逻辑兼容,直到3.3V.输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级,以最大限度降低驱动器的交叉导通.浮点通路用来驱动高边配置的N沟功率MOSFET或IGBT,电压高达650V.此外,离线的箝位功能提供固有的保护功能.输出源/沉电流+0.36 A/-0.7 A,集成了超快低RDS(ON)的自举二极管(BSD),负瞬态电压高达-100V(脉冲宽度达300ns),典型传输时延10ns, dV/dt免疫度±50 V,栅极驱动器电源从10V到20V.两个通路欠压锁住,3.3V,5V和15V输入逻辑兼容,RoHS兼容.主要用在马达驱动,通用逆变器,电冰箱压缩机,通信和照明的离线AC/DC电源的半桥和全桥转换器.
(素材:eccn和ttic.如涉版权请联系删除)
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