元件电阻的变化比例用MR比这一数值表示。AMR元件、GMR元件的MR比分别为3%、12%左右，而TMR元件甚至达到100%。强磁性体夹持非磁性体的金属层(Cu等)的GMR元件上，电子的移动表现出金属的导电现象。而在TMR元件上，电子的移动是量子力学的隧道效应。为此，在固定层与自由层处于反向平行的状态，GMR元件具有电子“难以移动”的特性，而TMR元件具有可以说电子“根本不能移动”的极端特性。这是TMR元件的MR比极大的原因，输出表现出“YES或NO”、“1或0”的鲜明特性。

HDD将TMR元件当作高密度播放元件利用的原因。要是将发挥了高灵敏度特性的TMR元件当作磁性传感器利用，可获得极大的输出。实际上，TDK的TMR传感器的输出是AMR传感器的20倍，GMR传感器的6倍，达到3,000mV。用AMR元件、GRM元件、TMR元件制成的磁性传感器的特性对比(施加电压5V时)。

用AMR元件、GRM元件、TMR元件制成的磁性传感器的特性对比

温度漂移、老化也小，最适合车载电气设备、产业设备

如果在TMR传感器上使磁铁旋转，自由层的磁化方向追随磁铁的磁场方向，元件的电阻连续变化。由于电阻值与固定层和自由层的磁化方向的相对角成正比，可当作角度传感器利用。

利用TMR元件支撑角度传感器的原理

TDK ICP-101 xx压力传感器系列基于MEMS电容技术，以最低功率提供超低噪音，获得行业领先的相对精度、传感器吞吐量和温度稳定性。

电容压力传感技术克服了以往压阻技术的诸多挑战，提高了整体性能。

电容压力传感器的结构优势实现了无与伦比的超低噪声和功率水平，超过压阻传感器所能达到的水平。以下是TDK的ICP-101 xx电容压力传感器系列与普通工业压阻传感器的噪音和功率图（输出数据速率为1Hz时） 

ICP-101 xx压力传感器系列的本底噪声小于0.4Pa-RMS，实现了小于±1Pa的压力测量差，这个精度使高度测量差小到5cm，小于一级台阶的高度。

压阻对温度变化非常敏感，电容压力传感器天生就比基于压阻的传感器具有更高的温度稳定性。ICP-101xx压力传感器系列实现了行业领先的温度系数偏差±0.5Pa/°C，使设备在一个很宽的温度范围内非常稳定。

电容压力传感器使新用例成为可能

TDK的电容压力传感器具有超低噪音、超低功率和温度稳定性，达到了新的性能水平，使现有的压阻技术不可能实现的用例成为可能。

磁传感器最初是智能型手机的导航精度要求提升，用于精确地磁测量的导航用途，随智能型手机市场成长停滞，传感器厂开始寻找新的磁传感器成长市场，日本电子零组件大厂TDK宣布推出高感度磁传感器，用在以心脏病诊断为首的医疗市场上。

把脉听心音以外还有更进步的诊断方式，比方以超音波扫描、心电图测量与心脏有关的神经脉冲，确定控制心脏的神经信号是否异常；更进一步的就是核磁共振(MR)系统，进行高精度3D成像检测，但核磁共振系统需液态氦冷却，使用上有其限制。

藉由64个高精度磁传感器组成阵列的方式，可以在常温下精确感测心脏磁场变化，而且不需要体积庞大的MR或SQUID系统，不管治疗诊断还是学术研究都更方便。

TDK指出目前最适合该磁传感器的医疗市场是胎儿心脏健康检查：胎儿心跳突然中止的原因很多，但临床上的最大问题，就是通常要在心跳停止好一段时间后才会知道，无从事先预知与治疗。