动态随机存取存储器
发布时间:2020/6/30 20:19:44 访问次数:6023
封装内实现高集成度
高性能
嵌入式存储器
外设的医疗
工业与消费类应用
提供了工作频率为168 MHz
Cortex™-M4内核(具有浮点单元)性能
性能:
在168 MHz频率下
从Flash存储器执行时
STM32F407/417能够提供
210 DMIPS/566 CoreMark性能
并且利用意法半导体
ART加速器实现了FLASH零等待状态
DSP指令和浮点单元扩大了产品的应用范围
功效:
该系列产品采用意法半导体90 nm工艺
ART加速器
具有动态功耗调整功能
能够在运行模式下
从Flash存储器执行时
实现低至238 μA/MHz的电流消耗(@ 168 MHz)
丰富的连接功能:
出色的创新型外设:
与STM32F4x5系列相比
STM32F407/417产品
还具有符合IEEE 1588 v2标准要求
以太网MAC10/100
能够连接CMOS照相机传感器
8~14位并行照相机接口
2个USB OTG(其中一个支持HS)
音频:
专用音频PLL
个全双工I2S
通信接口多达15个
制造商: Winbond
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型: SDRAM - DDR
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-66
数据总线宽度: 16 bit
组织: 8 M x 16
存储容量: 128 Mbit
最大时钟频率: 200 MHz
电源电压-最大: 2.7 V
电源电压-最小: 2.3 V
电源电流—最大值: 65 mA
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 70 C
系列: W9412G6KH
商标: Winbond
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 432
子类别: Memory & Data Storage

(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)
深圳市斌能达电子科技有限公司http://jkic888.51dzw.com/
封装内实现高集成度
高性能
嵌入式存储器
外设的医疗
工业与消费类应用
提供了工作频率为168 MHz
Cortex™-M4内核(具有浮点单元)性能
性能:
在168 MHz频率下
从Flash存储器执行时
STM32F407/417能够提供
210 DMIPS/566 CoreMark性能
并且利用意法半导体
ART加速器实现了FLASH零等待状态
DSP指令和浮点单元扩大了产品的应用范围
功效:
该系列产品采用意法半导体90 nm工艺
ART加速器
具有动态功耗调整功能
能够在运行模式下
从Flash存储器执行时
实现低至238 μA/MHz的电流消耗(@ 168 MHz)
丰富的连接功能:
出色的创新型外设:
与STM32F4x5系列相比
STM32F407/417产品
还具有符合IEEE 1588 v2标准要求
以太网MAC10/100
能够连接CMOS照相机传感器
8~14位并行照相机接口
2个USB OTG(其中一个支持HS)
音频:
专用音频PLL
个全双工I2S
通信接口多达15个
制造商: Winbond
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型: SDRAM - DDR
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-66
数据总线宽度: 16 bit
组织: 8 M x 16
存储容量: 128 Mbit
最大时钟频率: 200 MHz
电源电压-最大: 2.7 V
电源电压-最小: 2.3 V
电源电流—最大值: 65 mA
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 70 C
系列: W9412G6KH
商标: Winbond
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
工厂包装数量: 432
子类别: Memory & Data Storage

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