双节锂电池的升压充电管理 IC
发布时间:2020/5/9 23:33:51 访问次数:2679
两节锂电池升压充电IC ZCC5080完全替代CS5080
ZCC5080E是一款 5V输入,支持双节锂电池的升压充电管理 IC。ZCC5080E 集成功率 MOS,采用异步开关架构,使其在应用时仅需要极少的外围器件,可有效减少整体方案尺寸,降低 BOM 成本。ZCC5080E 的升压开关充电转换器的工作效率为 90%。ZCC5080E 输入电压为 5V,内置自适应环路,可智能调节充电电流,防止拉挂适配器的输出,可匹配所有适配器。
描述
10W,2A 输入异步开关升压充电
升压充电效率 90%
充电电流外部可调
自动调节输入电流,匹配所有适配器
支持 LED 充电状态指示
内置功率 MOS
600KHZ 开关频率,可支持 2.2uH 电感
输出过压,短路保护
输入欠压,过压保护
IC 过温保护
ESD 4KV
应用
蓝牙音箱
电子烟
对讲机
普通晶体管的工作机制就像一个阀,它可以根据输入信号的特性,放大或者抑制输出信号。在研究人员们开发的有机电化学晶体管中,晶体管中的沟道由电聚合的导电聚合物组成。沟道可以形成、生长、缩小,或者在运行期间完全消除。它也可以在接收训练之后,对特定的刺激(特定的输入信号)作出反应。这样一来,晶体管沟道就会变得更加导电,输出信号也更大。
通过增加晶体管沟道中聚合反应的程度,沟道不断生长,从而增加了传导信号的聚合物链的数量。要不然,材料可能会被过度氧化(施加高电压),并且沟道会变得没有活性。导电性的暂时改变也能通过“掺杂”或“去掺杂”材料来实现。
晶体管沟道并不是由有机电子中最常采用的聚合物(PEDOT)来构造,而是由这篇论文作者之一、有机电子实验室的 Roger Gabrielsson 采用一个新开发的单体(ETE-S)构造出来。ETE-S 具有几个非常适合这项应用的特性:它形成了足够长的聚合物链;它是溶于水的(而聚合物形式不是);它通过中等程度的掺杂制造出聚合物。聚合物 PETE-S 是通过本征负电荷掺杂的形式(用于平衡正电荷载流子)制造,它属于p型掺杂。
深圳市永拓丰科技有限公司http://ytf01.51dzw.com/
(素材来源:eechina和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
两节锂电池升压充电IC ZCC5080完全替代CS5080
ZCC5080E是一款 5V输入,支持双节锂电池的升压充电管理 IC。ZCC5080E 集成功率 MOS,采用异步开关架构,使其在应用时仅需要极少的外围器件,可有效减少整体方案尺寸,降低 BOM 成本。ZCC5080E 的升压开关充电转换器的工作效率为 90%。ZCC5080E 输入电压为 5V,内置自适应环路,可智能调节充电电流,防止拉挂适配器的输出,可匹配所有适配器。
描述
10W,2A 输入异步开关升压充电
升压充电效率 90%
充电电流外部可调
自动调节输入电流,匹配所有适配器
支持 LED 充电状态指示
内置功率 MOS
600KHZ 开关频率,可支持 2.2uH 电感
输出过压,短路保护
输入欠压,过压保护
IC 过温保护
ESD 4KV
应用
蓝牙音箱
电子烟
对讲机
普通晶体管的工作机制就像一个阀,它可以根据输入信号的特性,放大或者抑制输出信号。在研究人员们开发的有机电化学晶体管中,晶体管中的沟道由电聚合的导电聚合物组成。沟道可以形成、生长、缩小,或者在运行期间完全消除。它也可以在接收训练之后,对特定的刺激(特定的输入信号)作出反应。这样一来,晶体管沟道就会变得更加导电,输出信号也更大。
通过增加晶体管沟道中聚合反应的程度,沟道不断生长,从而增加了传导信号的聚合物链的数量。要不然,材料可能会被过度氧化(施加高电压),并且沟道会变得没有活性。导电性的暂时改变也能通过“掺杂”或“去掺杂”材料来实现。
晶体管沟道并不是由有机电子中最常采用的聚合物(PEDOT)来构造,而是由这篇论文作者之一、有机电子实验室的 Roger Gabrielsson 采用一个新开发的单体(ETE-S)构造出来。ETE-S 具有几个非常适合这项应用的特性:它形成了足够长的聚合物链;它是溶于水的(而聚合物形式不是);它通过中等程度的掺杂制造出聚合物。聚合物 PETE-S 是通过本征负电荷掺杂的形式(用于平衡正电荷载流子)制造,它属于p型掺杂。
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