太阳能充电带光控功能
发布时间:2020/4/22 17:36:33 访问次数:357
制造商: NXP
产品种类: ARM微控制器 - MCU
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LQFP-64
系列: Kinetis L1
核心: ARM Cortex M0+
数据总线宽度: 32 bit
最大时钟频率: 48 MHz
程序存储器大小: 128 kB
数据 RAM 大小: 16 kB
ADC分辨率: 16 bit
输入/输出端数量: 70 I/O
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
接口类型: I2C, I2S, SPI, UART
封装: Tray
程序存储器类型: Flash
商标: NXP / Freescale
数据 Ram 类型: RAM
ADC通道数量: 1
计时器/计数器数量: 3 Timer
处理器系列: KL1
产品类型: ARM Microcontrollers - MCU
工厂包装数量: 160
子类别: Microcontrollers - MCU
商标名: Kinetis
零件号别名: 935311433557
单位重量: 346.550 mg

供电方式:1.2V电池升压,太阳能充电带光控功能,白天充电晚上工作。
上电工作,轻触开关触发,8种闪法,每触发一下换一种闪法
自带掉电记忆功能,重新上电后从上次掉电前的模式开始工作.
按键触发,八段闪烁模式,如下:
第一模式:自动模式,即由第二段模式到第七段模式自动循环.
第二模式:波浪(二种速度).
第三模式:对闪(四种速度).
第四模式:单灯渐明渐暗(八种速度).
第五模式:星星闪+对闪.
第六模式:两路同时渐明渐暗(八种速度).
第七模式:星星闪.
第八模式:两路全亮.
特性
低VCE (ON)沟槽IGBT技术
低开关损耗
广场RBSOA
100%的零件经过ILM测试
正VCE (ON)温度系数
超快软恢复共装二极管
严格的参数分布
无铅
应用程序
ups
焊接
太阳能逆变器
感应加热
产品种类:
IGBT 晶体管
RoHS:
技术:
Si
封装 / 箱体:
TO-247-3
安装风格:
Through Hole
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
2.35 V
栅极/发射极最大电压:
20 V
在25 C的连续集电极电流:
40 A
Pd-功率耗散:
220 W
最小工作温度:
- 55 C
封装:
Tube
高度:
20.7 mm
长度:
15.87 mm
宽度:
5.31 mm
商标:
Infineon Technologies

深圳市斌能达电子科技有限公司http://jkic888.51dzw.com/
(素材来源:eechina..如涉版权请联系删除。特别感谢)
制造商: NXP
产品种类: ARM微控制器 - MCU
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LQFP-64
系列: Kinetis L1
核心: ARM Cortex M0+
数据总线宽度: 32 bit
最大时钟频率: 48 MHz
程序存储器大小: 128 kB
数据 RAM 大小: 16 kB
ADC分辨率: 16 bit
输入/输出端数量: 70 I/O
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
接口类型: I2C, I2S, SPI, UART
封装: Tray
程序存储器类型: Flash
商标: NXP / Freescale
数据 Ram 类型: RAM
ADC通道数量: 1
计时器/计数器数量: 3 Timer
处理器系列: KL1
产品类型: ARM Microcontrollers - MCU
工厂包装数量: 160
子类别: Microcontrollers - MCU
商标名: Kinetis
零件号别名: 935311433557
单位重量: 346.550 mg

供电方式:1.2V电池升压,太阳能充电带光控功能,白天充电晚上工作。
上电工作,轻触开关触发,8种闪法,每触发一下换一种闪法
自带掉电记忆功能,重新上电后从上次掉电前的模式开始工作.
按键触发,八段闪烁模式,如下:
第一模式:自动模式,即由第二段模式到第七段模式自动循环.
第二模式:波浪(二种速度).
第三模式:对闪(四种速度).
第四模式:单灯渐明渐暗(八种速度).
第五模式:星星闪+对闪.
第六模式:两路同时渐明渐暗(八种速度).
第七模式:星星闪.
第八模式:两路全亮.
特性
低VCE (ON)沟槽IGBT技术
低开关损耗
广场RBSOA
100%的零件经过ILM测试
正VCE (ON)温度系数
超快软恢复共装二极管
严格的参数分布
无铅
应用程序
ups
焊接
太阳能逆变器
感应加热
产品种类:
IGBT 晶体管
RoHS:
技术:
Si
封装 / 箱体:
TO-247-3
安装风格:
Through Hole
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
2.35 V
栅极/发射极最大电压:
20 V
在25 C的连续集电极电流:
40 A
Pd-功率耗散:
220 W
最小工作温度:
- 55 C
封装:
Tube
高度:
20.7 mm
长度:
15.87 mm
宽度:
5.31 mm
商标:
Infineon Technologies

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