位置:51电子网 » 技术资料 » EDA/PLD

开关损耗降低的零反向恢复

发布时间:2020/4/17 18:19:27 访问次数:716

DA14531 SmartBond TINY模块,助力客户开发下一代连接设备。降低了为IoT系统添加蓝牙低功耗连接功能的成本。其易于使用的设计和软件有助于开发人员快速直观地开发高性能的连接设备,目标针对下一代消费类电子、智慧医疗、智能家居和智能家电等应用。该模块结合了两个独特的软件特性,消除了传统蓝牙低功耗开发的复杂性,使客户能够开发强大的IoT产品,而无需考虑其软件编码能力。

第一个特性是可配置的Dialog串行端口服务(DSPS)软件,它基于BLE模拟了一个通用异步收发器(UART)串行端口,将模块连接到主机MCU的串行端口时,无需为BLE数据透传应用编写蓝牙软件。第二个特性是Dialog的新型Codeless软件,通过用一系列简单的人类可读的ASCII命令代替复杂的代码,来帮助客户创建应用程序,进一步简化开发过程。Codeless采用了行业标准Hayes AT型命令集来配置和运行该模块。

手动焊接的邮票形状封装的模块提供9个GPIO,尺寸为12.5 x 14.5mm。所有外部元件,包括无源器件、外部晶振(XTAL)、天线和闪存,都集成到了SmartBond TINY模块中,客户无需再另外采购单独的元件。

 


造商IC编号

K4B2G0846F-BYMA

厂牌

SAMSUNG/三星

IC 类别

DDR3L SDRAM

IC代码

256MX8 DDR3L

共通IC编号

产品详情

脚位/封装

FBGA-78

外包装

无铅/环保

无铅/环保

电压(伏)

1.35v

温度规格

0°C~+85°C

速度

1866(MT/S)

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

Number Of Words

256M

Bit Organization

x8

Density

2G

Internal Banks

8 Banks

Generation

7th Generation

Power

Low VDD(1.35V)

 

Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化镓 (GaN) 功率级。这款 600V、500 mΩ的器件具有集成栅极驱动器和强大的保护功能,可让设计人员在电源转换系统中实现更高的效率,适用于高密度工业和消费类电源、高压电池充电器、光伏逆变器和多电平转换器等应用。

TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种优势,包括超低输入和输出容值、可降低EMI的低开关节点振铃,以及可将开关损耗降低多达80%的零反向恢复。此器件的集成式栅极驱动器支持100 V/ns开关,实现几乎为零的VDs振铃,其微调栅极偏置电压可通过补偿阈值变化确保可靠切换。此功率级集成了一系列独特的功能,比如图腾柱功率因数校正 (PFC) 结构等密集高效拓扑,让设计人员能够优化电源性能并提高可靠性。  

LMG341xR050 GaN功率级拥有强大的保护功能,不需要外部保护元件,即可提供过热保护、瞬态电压抗扰性,并且所有电源轨都具有欠压锁定 (UVLO) 保护。此外,LMG341xR050还可提供响应时间低于100 ns的过流保护和高于150 V/ns的压摆率抗扰性。

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/

(素材来源:eechina和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

 

 

 

 

DA14531 SmartBond TINY模块,助力客户开发下一代连接设备。降低了为IoT系统添加蓝牙低功耗连接功能的成本。其易于使用的设计和软件有助于开发人员快速直观地开发高性能的连接设备,目标针对下一代消费类电子、智慧医疗、智能家居和智能家电等应用。该模块结合了两个独特的软件特性,消除了传统蓝牙低功耗开发的复杂性,使客户能够开发强大的IoT产品,而无需考虑其软件编码能力。

第一个特性是可配置的Dialog串行端口服务(DSPS)软件,它基于BLE模拟了一个通用异步收发器(UART)串行端口,将模块连接到主机MCU的串行端口时,无需为BLE数据透传应用编写蓝牙软件。第二个特性是Dialog的新型Codeless软件,通过用一系列简单的人类可读的ASCII命令代替复杂的代码,来帮助客户创建应用程序,进一步简化开发过程。Codeless采用了行业标准Hayes AT型命令集来配置和运行该模块。

手动焊接的邮票形状封装的模块提供9个GPIO,尺寸为12.5 x 14.5mm。所有外部元件,包括无源器件、外部晶振(XTAL)、天线和闪存,都集成到了SmartBond TINY模块中,客户无需再另外采购单独的元件。

 


造商IC编号

K4B2G0846F-BYMA

厂牌

SAMSUNG/三星

IC 类别

DDR3L SDRAM

IC代码

256MX8 DDR3L

共通IC编号

产品详情

脚位/封装

FBGA-78

外包装

无铅/环保

无铅/环保

电压(伏)

1.35v

温度规格

0°C~+85°C

速度

1866(MT/S)

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

Number Of Words

256M

Bit Organization

x8

Density

2G

Internal Banks

8 Banks

Generation

7th Generation

Power

Low VDD(1.35V)

 

Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化镓 (GaN) 功率级。这款 600V、500 mΩ的器件具有集成栅极驱动器和强大的保护功能,可让设计人员在电源转换系统中实现更高的效率,适用于高密度工业和消费类电源、高压电池充电器、光伏逆变器和多电平转换器等应用。

TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种优势,包括超低输入和输出容值、可降低EMI的低开关节点振铃,以及可将开关损耗降低多达80%的零反向恢复。此器件的集成式栅极驱动器支持100 V/ns开关,实现几乎为零的VDs振铃,其微调栅极偏置电压可通过补偿阈值变化确保可靠切换。此功率级集成了一系列独特的功能,比如图腾柱功率因数校正 (PFC) 结构等密集高效拓扑,让设计人员能够优化电源性能并提高可靠性。  

LMG341xR050 GaN功率级拥有强大的保护功能,不需要外部保护元件,即可提供过热保护、瞬态电压抗扰性,并且所有电源轨都具有欠压锁定 (UVLO) 保护。此外,LMG341xR050还可提供响应时间低于100 ns的过流保护和高于150 V/ns的压摆率抗扰性。

深圳市唯有度科技有限公司http://wydkj.51dzw.com/

(素材来源:eechina和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

 

 

 

 

热门点击

 

推荐技术资料

声道前级设计特点
    与通常的Hi-Fi前级不同,EP9307-CRZ这台分... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!