T494B684K050AS制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS:否商标:Infineon Technologies产品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:1.95 V在25 C的连续集电极电流:180 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:34MM栅极/发射极最大电压:+/- 20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:730 W工厂包装数量:10

制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS: 详细信息产品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V集电极—射极饱和电压:2.45 V在25 C的连续集电极电流:1070 A栅极—射极漏泄电流:400 nA最大工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:62 mm封装:Tray商标:Infineon Technologies栅极/发射极最大电压:20 V最小工作温度:- 40 C安装风格:ScrewPd-功率耗散:3150 W工厂包装数量:10

制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息商标:Infineon Technologies安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:60 ARds On-漏源导通电阻:45 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V最大工作温度:+ 150 C封装:Tube通道模式:Enhancement配置:Single下降时间:10 ns最小工作温度:- 55 CPd-功率耗散:431 W上升时间:20 ns系列:CoolMOS CP工厂包装数量:240商标名:CoolMOS典型关闭延迟时间:100 ns典型接通延迟时间:30 ns零件号别名:IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPXK SP000067149

制造商:ON Semiconductor产品种类:开关控制器RoHS: 详细信息商标:ON Semiconductor拓扑结构:Boost, Flyback, Forward输出端数量:1 Output开关频率:500 kHz占空比 - 最大:96 %输出电压:4.9 V to 5.1 V输出电流:1000 mA最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-14封装:Reel下降时间:50 ns最小工作温度:- 40 C工作电源电压:30 V上升时间:50 ns系列:UC3843B工厂包装数量:2500

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 模块

RoHS: 符合RoHS 详细信息

产品: IGBT Silicon Modules

配置: Hex

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

在25 C的连续集电极电流: 55 A

最大工作温度: + 125 C

封装 / 箱体: Econo 2

封装: Tray

商标: Infineon Technologies

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

最小工作温度: - 40 C

安装风格: Screw

工厂包装数量: 10

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