UPD78013GC-742-AB8同步降压稳压器的高效率和低损耗（LDO）稳压器的低噪声。ISL70005SEH和ISL73005SEH是抗辐射的双输出点负载（POL）稳压器，结合了它们适用于3.3V或5V电源总线的系统，能够支持降压调节器3A和LDO±1A的连续输出负载电流。

降压稳压器采用电压模式控制架构，开关的电阻可调频率为100kHz至1MHz。外部可调环路补偿允许在稳定性和输出动态性能之间实现最佳平衡。内部同步功率开关优化为高效率和优异的热性能。

LDO完全可以独立于开关调节器进行配置。它使用NMOS pass器件和独立的芯片偏置电压（L_VCC）驱动其栅极，使LDO在L_VIN输入端以非常低的电压工作。LDO可以连续接收和源高达1A，使其成为驱动DDR存储器的理想选择。

ISL70005SEH和ISL73005SEH采用节省空间的28 Ld陶瓷双扁平封装或模具形式。它们被指定在TA=-55℃到+125℃的温度范围内工作。

STM32L562xx设备是基于高性能Arm®Cortex®M33 32位RISC内核的超低功耗微控制器系列（STM32L5系列）。它们的工作频率高达110兆赫。

内核具有一个单精度浮点单元（FPU），它支持所有单精度数据处理指令和所有数据类型。实现了全套的DSP（数字信号处理）指令和增强应用程序安全性的内存保护单元（MPU）。

这些设备嵌入高速存储器（512k字节的闪存和256kb的SRAM）、一个用于静态存储器的灵活外部存储器控制器（FSMC）（用于100针及以上封装的设备）、一个Octo-SPI闪存接口（可用于所有封装）和一系列连接到两个APB的增强I/o和外围设备总线、两条AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵。

STM32 L5系列设备提供了符合ARM的基于信任的安全体系结构（TBSA）要求的安全基础。它们嵌入了必要的安全功能，以实现安全引导、安全数据存储、安全固件安装和安全固件升级。灵活的生命周期管理多亏了多级读出保护。由于安全的外围设备、内存和I/O，以及将外围设备和内存配置为“特权”的可能性，支持固件硬件隔离。

STM32L562xx设备为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制：读出保护、写入保护、安全和隐藏保护区域。

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