XC5VLX155T-3FFG1136I 大电流高功率密度封装结构和互连方法
发布时间:2020/3/1 12:22:11 访问次数:659
XC5VLX155T-3FFG1136I偏光板用保护膜项目作为偏光板上游核心材料导入国内的项目,目前也正在LG化学广州基地有序地推进生产线厂房建设,计划2020年8月开始量产。该项目将会加速偏光板核心材料本土化的进程,推进显示行业整体供应链的本地化,对我国显示产品确保产业链竞争力起到重要作用。
耐压高:临界击穿电场高达2MV/cm(4H-SiC),因此具有更高的耐压能力(10倍于Si)。
散热容易:由于SiC材料的热导率较高(是Si的三倍),散热更容易,器件可工作在更高的环境温度下。理论上,SiC功率器件可在175℃结温下工作,因此散热器的体积可以显著减小。
业界速度最快、尺寸最小的光探测及测距 (LiDAR) IC,帮助实现更高速的汽车自动驾驶。与最接近的竞争方案相比,MAX40026高速比较器和MAX40660/MAX40661宽带互阻放大器可提供2倍以上带宽,在相同尺寸的单个LiDAR模块内增加32路附加通道,单模块达到128个通道 (竞争产品为96路),从而使高速公路上的自动驾驶行驶速度提高10mph (15km/h)。
导通损耗和开关损耗低:SiC材料具有两倍于Si的电子饱和速度,使得SiC 器件具有极低的导通电阻(1/100 于Si),导通损耗低;SiC 材料具有3倍于Si 的禁带宽度,泄漏电流比Si 器件减少了几个数量级,从而可以减少功率器件的功率损耗;关断过程中不存在电流拖尾现象,开关损耗低,可大大提高实际应用的开关频率(10 倍于Si)。
可以减小功率模块的体积:由于器件电流密度高(如Infineon 产品可达700A/cm2),在相同功率等级下,全SiC 功率模块(SiC MOSFETsSiC SBD)的封装尺寸显著小于Si IGBT 功率模块。
XC5VLX155T-3FFG1136I偏光板用保护膜项目作为偏光板上游核心材料导入国内的项目,目前也正在LG化学广州基地有序地推进生产线厂房建设,计划2020年8月开始量产。该项目将会加速偏光板核心材料本土化的进程,推进显示行业整体供应链的本地化,对我国显示产品确保产业链竞争力起到重要作用。
耐压高:临界击穿电场高达2MV/cm(4H-SiC),因此具有更高的耐压能力(10倍于Si)。
散热容易:由于SiC材料的热导率较高(是Si的三倍),散热更容易,器件可工作在更高的环境温度下。理论上,SiC功率器件可在175℃结温下工作,因此散热器的体积可以显著减小。
业界速度最快、尺寸最小的光探测及测距 (LiDAR) IC,帮助实现更高速的汽车自动驾驶。与最接近的竞争方案相比,MAX40026高速比较器和MAX40660/MAX40661宽带互阻放大器可提供2倍以上带宽,在相同尺寸的单个LiDAR模块内增加32路附加通道,单模块达到128个通道 (竞争产品为96路),从而使高速公路上的自动驾驶行驶速度提高10mph (15km/h)。
导通损耗和开关损耗低:SiC材料具有两倍于Si的电子饱和速度,使得SiC 器件具有极低的导通电阻(1/100 于Si),导通损耗低;SiC 材料具有3倍于Si 的禁带宽度,泄漏电流比Si 器件减少了几个数量级,从而可以减少功率器件的功率损耗;关断过程中不存在电流拖尾现象,开关损耗低,可大大提高实际应用的开关频率(10 倍于Si)。
可以减小功率模块的体积:由于器件电流密度高(如Infineon 产品可达700A/cm2),在相同功率等级下,全SiC 功率模块(SiC MOSFETsSiC SBD)的封装尺寸显著小于Si IGBT 功率模块。