当贴片电容MLCC受到温度冲击时，容易从焊端开始产生裂纹，在这点上，小尺寸电容比大尺寸IC交易网电容相对来说会好一点，其原理就是大尺寸的电容导热没这么快到达整个电容，于是电容本体的不同点的温差大，所以膨胀大小不同，从而产生应力.

MLCC更是要避免用烙铁手工焊接的工艺，然而事情总是电子元件没有那么理想，烙铁手工焊接有时也不可避免。

JD=Kn(us-ui)2(1+uDs)=fDo

(1+ut91,s)

对于典型器件,入的值可近似表示为

ui≈nb

式中沟道长度L的单位为um。

MOSFET的主要参数

直流参数,开启电压,us是增强型MOS管的参数。当t`Ds为某一固定值(例如10Ⅴ)使JD等于一微小电流(例如50 uA)时,栅源间的电压为ui。

夹断电压yP,7P是耗尽型FET的参数。通常令田Ds为某一固定值(例如10Ⅴ),使JD等于一个微小的电流(例如20 uA)时,栅源之间所加的电压称为夹断电压。

饱和漏极电流`Dss,rDss也是耗尽型FET的参数.

在vcs=0的情况下,当|us|>|yP|时的漏极电流称为饱和漏极电流JDss。

通常令|us|=10Ⅴ,vcs=0V时测出的JD就是rDss。在转移特性上,就是pcs=0时的漏极电流(见图5.1.6b)。

直流输入电阻RGs,在漏源之间短路的条件下,栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻就是直流输入电阻RGs。MOs管的RGs可达109Ω~1015Ω。

交流参数输出电阻us=c9vD、rd=0

输出电阻rds说明了vDs对JD的影响,是输出特性某一点上切线斜率的倒数。当不考虑沟道调制效应(八=0)时,在饱和区输出特性曲线的斜率为零,rds→∞。当考虑沟道调制效应(u≠0)时,输出特性曲线倾斜,对增强型NMOs,由式(5.1.14)和式(5.1.16a)可导出

rds=[uKn OGs-yT)2]ˉ1=ui(5.⒈16b)

因此rds是一个有限值,一般在几十千欧到几百千欧之间,场效应管放大电路.

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