ZXMP6A17DN8 拼接管压接后的可靠性检查
发布时间:2020/1/7 12:35:37 访问次数:1756
ZXMP6A17DN8筒插人没有去除绝缘的导线,压紧压接工具手柄使棘齿到达力矩时释放,取下压接完的拼接管,检查绝缘压紧情况;将导线向后、向外弯曲,导线绝缘应紧压在绝缘筒内;如果导线被拉出,调节绝缘调节钉到紧的位置(2位置),如果导线不能被拉出,压接工具的绝缘压接调节位置合适。按照压接绝缘调节步骤完成拼接管压线筒的压接试验,检查压线筒压紧情况,不必将绝缘调节钉调节到最紧的位置。
压接时从工具前面向上推动定位,将拼接管压线筒插人压接模块,确保压线筒的边缘靠紧定位,如图6-242所示。
经过两次压接程序完成拼接管的压接,然后执行目视检查程序,如图6-243和表6-16所示。
工具后边压线筒边,靠着位置压线,导体穿过绝缘筒南到压线筒,拼接管通过夹缝剖面岁,向上推使拼接,管通过夹缝,拼接管的压接介绍,错误压接后的拼接管检查,拼接管压接后的可靠性检查.
正确错误,拼接管的绝缘筒压住导线绝缘,导线芯线太长或导线绝缘层裂开.
压接在压线筒中心且标记清楚.
标记不清楚,压线筒出现撕裂痕迹.
导线的规格与拼接管和压接配.
导线的规格与拼接管和压接工具不匹配.
导线绝缘进人拼接管的绝缘筒位置合适.
导线绝缘进人拼接管的压线筒.
在观察孔看见芯线并到达止位.
导线没有完全插人拼接管,芯线没有到达止位,注:表中序号对应图6-243。
拼接管压接完成后的标准,允许在压接施工期间拼接管的压线筒和导线有一定的弯曲。当拼接管压接完成后,按照图6-16所示对拼接管进行向上与向下弯曲目视检查、侧面与侧面弯曲目视检查,拼接管的压线筒和导线以参考线为基准,允许的最大弯曲角度不能超过11°。按照图所示对拼接管进行横截面的检查,出现图所示左侧的问题主要是由于压接工具的压接挡位.
ssRAM的基本结构,读操作时,控制信号和地址输人在CP的上升沿被取样,当丛发使能控制ADy和片选CE为低电平时,地址线上的地址被锁存到地址寄存器中,高电平的WE也被寄存到读写控制逻辑电路中。此时,读写控制逻辑电路使数据选择器选择地址寄存器中的地址进行译码,在下一个CP有效沿到来前,存储阵列中的数据被送到数据线f/o上输出。操作过程所示。
写操作与读操作类似,只是被取样的WE为低电平。而输人的数据在接下来的CP上升沿锁存到输人寄存器中,同时地址寄存器中的地址又传至写地址寄存器中。此时,读写控制逻辑电路使数据选择器选择写地址寄存器中的地址进行译码,在输入驱动电路的作用下,将输人寄存器中的数据写人存储阵列。写操作时,读写控制逻辑电路将自动屏蔽输出使能信号oE,使三态输出缓冲器呈现高阻态。操作过程所示。
丛发模式读写操作是sSRAM中特有的①。当丛发使能控制且D/为低电平时,A1A。可直接穿过丛发控制逻辑电路,按外部给定的地址进行读/写,此时就是上述的一般读写操作。但当丛发使能控制ADy为高电平时,地址寄存器不接收外部新地址而保持上一个时钟周期输人的地址,在CP下一个上升沿到不仅SSRAM中有丛发模式,而且sDRAM中也有该模式。
ssRAM典型的读写操作定时图,(a)一般模式的读写操作 (b)丛发模式的读写操作,注:图中假设输出使能信号0E始终有效(低电平)。0(A1)表示Al地址单元中的数据被读出,出现在r/o线上。I(A1)则表示向Al地址单元写人的数据出现在io线上。实际上,J/o线上的数据是前一个CP沿作用的结果。A1+1表示在A1地址基础上,由丛发计数器产生的第一个地址,A1+2表示由丛发计数器产生的第二个地址,余类推。来时,由丛发计数器在上一个A1⒕。基础上,计数生成下一个地址的AIAO进行读/写。由于丛发计数器是2位计数器,所以在ADy保持高电平时,可以连续生成4个不同的地址。sSRAM的这种丛发模式,在连续读/写多个字时.
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压接时从工具前面向上推动定位,将拼接管压线筒插人压接模块,确保压线筒的边缘靠紧定位,如图6-242所示。
经过两次压接程序完成拼接管的压接,然后执行目视检查程序,如图6-243和表6-16所示。
工具后边压线筒边,靠着位置压线,导体穿过绝缘筒南到压线筒,拼接管通过夹缝剖面岁,向上推使拼接,管通过夹缝,拼接管的压接介绍,错误压接后的拼接管检查,拼接管压接后的可靠性检查.
正确错误,拼接管的绝缘筒压住导线绝缘,导线芯线太长或导线绝缘层裂开.
压接在压线筒中心且标记清楚.
标记不清楚,压线筒出现撕裂痕迹.
导线的规格与拼接管和压接配.
导线的规格与拼接管和压接工具不匹配.
导线绝缘进人拼接管的绝缘筒位置合适.
导线绝缘进人拼接管的压线筒.
在观察孔看见芯线并到达止位.
导线没有完全插人拼接管,芯线没有到达止位,注:表中序号对应图6-243。
拼接管压接完成后的标准,允许在压接施工期间拼接管的压线筒和导线有一定的弯曲。当拼接管压接完成后,按照图6-16所示对拼接管进行向上与向下弯曲目视检查、侧面与侧面弯曲目视检查,拼接管的压线筒和导线以参考线为基准,允许的最大弯曲角度不能超过11°。按照图所示对拼接管进行横截面的检查,出现图所示左侧的问题主要是由于压接工具的压接挡位.
ssRAM的基本结构,读操作时,控制信号和地址输人在CP的上升沿被取样,当丛发使能控制ADy和片选CE为低电平时,地址线上的地址被锁存到地址寄存器中,高电平的WE也被寄存到读写控制逻辑电路中。此时,读写控制逻辑电路使数据选择器选择地址寄存器中的地址进行译码,在下一个CP有效沿到来前,存储阵列中的数据被送到数据线f/o上输出。操作过程所示。
写操作与读操作类似,只是被取样的WE为低电平。而输人的数据在接下来的CP上升沿锁存到输人寄存器中,同时地址寄存器中的地址又传至写地址寄存器中。此时,读写控制逻辑电路使数据选择器选择写地址寄存器中的地址进行译码,在输入驱动电路的作用下,将输人寄存器中的数据写人存储阵列。写操作时,读写控制逻辑电路将自动屏蔽输出使能信号oE,使三态输出缓冲器呈现高阻态。操作过程所示。
丛发模式读写操作是sSRAM中特有的①。当丛发使能控制且D/为低电平时,A1A。可直接穿过丛发控制逻辑电路,按外部给定的地址进行读/写,此时就是上述的一般读写操作。但当丛发使能控制ADy为高电平时,地址寄存器不接收外部新地址而保持上一个时钟周期输人的地址,在CP下一个上升沿到不仅SSRAM中有丛发模式,而且sDRAM中也有该模式。
ssRAM典型的读写操作定时图,(a)一般模式的读写操作 (b)丛发模式的读写操作,注:图中假设输出使能信号0E始终有效(低电平)。0(A1)表示Al地址单元中的数据被读出,出现在r/o线上。I(A1)则表示向Al地址单元写人的数据出现在io线上。实际上,J/o线上的数据是前一个CP沿作用的结果。A1+1表示在A1地址基础上,由丛发计数器产生的第一个地址,A1+2表示由丛发计数器产生的第二个地址,余类推。来时,由丛发计数器在上一个A1⒕。基础上,计数生成下一个地址的AIAO进行读/写。由于丛发计数器是2位计数器,所以在ADy保持高电平时,可以连续生成4个不同的地址。sSRAM的这种丛发模式,在连续读/写多个字时.
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