SN74LS132AN除了读、写操作可以对存储单元进行刷新外,刷新操作也可以通过只选通行选线来实现。例如,当行选线X为高电平,且WE亦为高电平时,C上的数据经T到达位线B,然后经输入缓冲器对存储单元刷新,此时的刷新是整行刷新。实际上,输出缓冲器和刷新缓冲器环路构成一正反馈,如果位线为高电平,则将位线电平拉向更高。反之则使位线电平降得更低。

由于存储单元电容的容量很小,所以在位线容性负载较大时,C中存储的电荷(C存有1时)可能还未将位线拉至高电平时便耗尽了,由此出现读出错误。为避免出现这种情况,通常在读之前先将位线电平预置为高、低电平的中间值。这样,T导通时,根据电容C存储的是0还是1,会将位线拉向低电平或高电平。位线电平的这种变化经灵敏放大器放大,可以准确得到C所存储的逻辑值。

DRAM的基本结构和操作时序

由于DRAM的集成度很高,存储容量大,因此需要较多的地址线。为减少引线数目,DRAM大都采用行、列地址分时送入的方法。例如,对于一个1M字的存储器,有22°个地址,即有20根地址线。采用行、列地址分时送人时,只需要10根地址线。DRAM的基本结构如图7.2.8所示,其内部设有行、列两个地址寄存器。行、列地址分别由行地址选通信号RAs①和列地址选通信号CAs②控制,送人各自的寄存器。此外,DRAM内部还设有刷新计数器和刷新控制及定时电路,由此可以自动产生行地址进行刷新。

将指针式万用表置于R×10k挡,用万用表的红、黑表笔分测量2脚与5脚之间电阻,应为0,其余各引脚之间的阻值应为无穷大。也可以用测量电容量的方法,将数字万用表置于电容挡,测量各引脚间的电容,应与相同频率晶振的容量基本相符。

数字万用表检测陶瓷滤波器 将数字万用表置于二极管挡,用数字万用表红、黑表笔分别测量二端或三端陶瓷滤波器任意两引脚,此时测得两引脚之间的正、反向电阻均应显示“OL”(溢出符号)或“1”,若测得阻值较小或为0,可判定该陶瓷滤波器已损坏。数字万用表检测陶瓷滤波器的过程.

陶瓷滤指针万用表测得正、反向电阻均为∞时,则不能完全确定该波器是否完好,在实际应用中,可以用代换法。