CMF508K2500FHEB快闪叠栅MOs管的结构及符号如图4.5.7所示。它与SIMOs管结构类似。两者最大的区别在于快闪叠栅MOS管的浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOs管的更薄。因此,其擦除方式是通过浮栅与源极之间超薄氧化层的电子隧道效应进行擦除。而SIMOS管的浮栅与源极之间氧化层较厚,电场不足以产生隧道效应,所以用紫外线照射,使浮栅上的电子获得足够的能量回到衬底。

对快闪叠栅MOS管编程时,漏极接 图4.5.7 快闪叠栅MOs管的结构及符号正电压(6Ⅴ),源极接地,同时在控制栅加12V正脉冲电压,向浮栅注入电子的方式与SIMOS相同。编程后,快闪叠栅MOs管在正常逻辑条件下相当于断开。

快闪叠栅MOs管擦除编程信息的方式类似于Flotox MOs管,将管子漏极加12V正脉冲电压,控制栅接地,即可利用隧道效应使浮栅放电而擦除编程信息。快闪叠栅MOs管既有SIMOs管结构简单、工作可靠的优点,又有FlotoxMOS管隧道效应带来的速度快、操作简单的特点,因而被广泛使用。

PLD的分类方法有多种。按照PLD门电路的集成度,可以分为低密度和高密度器件,1000门以下为低密度,例如PRoM①、PLA②、PAL③和GAL④等;1000门以上的为高密度,例如CPLD⑤、FPGA⑥等。

按照PLD的结构体系,可分为简单PLD(例如PAL、GAL)、复杂可编程逻辑器件CPLD和现场可编程门阵列FPGA。CPLD和FPGA将在第7章介绍。

按照PLD中的与、或阵列是否可编程分为三种,分别如图4,5.8(a)、4.5,8(b)和4,5,8(c)所示,PROM的与阵列固定,或阵列可编程;PLA的与阵列、或阵列均可编程;PAL和GAL等的与阵列可编程,或阵列固定。