Le7920-1JCJCBCCMOS逻辑集成器件从20世纪60年代末发展至今,由于制造工艺的不断完善,它的技术参数从总体上来说已经达到或者超过TTL器仵的水平。例如,CMOS器件的功耗低、扇出数大、噪声容限亦大,这些均是由于CMOs器件的固有特性所决定的。但也应注意到,这里讲的功耗低是指静态功耗(微瓦量级)而言。实际上,因为它的输人电容约为10pF,当工作频率较高时,其动态功耗随频率的增加而增加。CMOs门电路的动态功耗差别较大,一个典型的CMOs门电路的静态功耗为0,01 mW左右。当工作频率达到1 MHz时,功耗增加到0.5 mw左右。当频率为10 MHz时,功耗为5 mw左右。

CMOS器件通常为单电源供电,而且电路对电源电压范围要求比较宽。最早的CMOS器件4000B系列的电源电压可以是3~18V,但工作速度比较慢。后来推出的高速CMOS器件74HC系列电源电压为2~6V,与TTL兼容的74HCT系列为4.5~5,5V。先进的CMOs系列74AHC/74AHCT系列工作速度是74HC/74HCT的两倍。此外,尚有与TTL兼容的新系列74BCT(BiCMOs)。当电源电压增加时,可减小传输延迟时间,增大噪声容限,但功耗也随之增加,当电源电压为5V时,各CMOs系列的传输延迟时间不同,约为5~20ns。74HC/74HCT系列噪声容限通常为电源电压的40%左右。扇出数则随工作频率的增加而减少。CMOs器件发展至今,涌现出许多不同系列产品,表3.1.5所示为几种CMOs系列器件的主要参数。各系列产品的参数也有很多,对于设计者,比较重要的参数是速度和功耗。